Планарные технологии в оптоэлектронике
МЕТОДЫ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ ALINAS/INGAAS С МЕЗА-СТРУКТУРОЙ
Высокочувствительный p-i-n фотодиод на основе InP
Методы пассивации поверхности лавинных фотодиодов AlInAs/InGaAs с меза-структурой // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023].
Rochas S.S., Kovach I.N., Kopytov P.E., Kremleva A., Egorov A.I. Review on Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for High-Speed Data Transfer. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 1-16.
Квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой второго порядка и увеличенной величиной связывания
Petrenko A., Rochas S.S., Karachinskii L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bugrov V., Blochin S., Blochin A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Characterization of lasing regimes of 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers based on a short-period InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 688-691.
1.3 um vertical-cavity surface-emitting lasersbased on InGaAs/InGaAlAs superlattice
Rochas S.S., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bougrov V.E., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting lasers of 1.3 Mu m spectral range based on the InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012176.
Петренко А.А., Рочас С.С., Карачинский Л.Я., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Копытов П.Е., Бугров В.Е., Блохин С.А., Блохин А.А., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. Характеризация режимов лазерной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,3 мкм на основе короткопериодной сверхрешётки InGaAs/InGaAlAs. Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 11-16.
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург