Andryushkin V., Novikov I.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Photoluminescence of 1300 nm Range Strained InGaAs/InGaAlAs Superlattices. Proceedings of the 2023 International Conference on Electrical Engineering and Photonics, EExPolytech 2023. 2023. pp. 363-365.
Rochas S.S., Blokhin S.A., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Bougrov V.E., Gladyshev A.G., Melnichenko I.A., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Li H., Tian S., Sapunov G.A., Egorov A.Y., Bimberg D. 1550 nm high-speed VCSELS based on compressively strained In(Al)GaAs QWs. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки= St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. S1.1. pp. 456-462.
Планарные технологии в оптоэлектронике
Характеристики источников лазерного и синхротронного излучения
Высокочувствительный p-i-n фотодиод на основе InP
Rochas S.S., Babichev A.V., Blokhin S.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blochin A., Bobrov M.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Nevedomsky N.A., Andryushkin V.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y., Bugrov V.E. 1550-nm waveband VCSELs made by wafer-fusion technique. Proceedings - International Conference Laser Optics 2022, ICLO 2022. 2022. pp. 1-1.
Ковач Я.Н., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Петренко А.А., Камарчук А.В., Рочас С.С., Бауман Д.А. Расчет и оптимизация оптической схемы фотоприемного модуля спектрального диапазона 1,3-1,6 мкм [Optimization of the optical scheme of a photodetector module operating in the spectral range of 1.3–1.6 mu m]. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2022. Т. 22. № 5(141). С. 873-880.
Rochas S.S., Kovach I.N., Kopytov P.E., Kremleva A., Egorov A.I. Review on Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for High-Speed Data Transfer. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 1-16.
Andryushkin V.V., Blokhin S.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Rochas S.S., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y. Superlattice based 1300-nm Wafer fused VCSELs fully grown by MBE. Proceedings - International Conference Laser Optics 2022, ICLO 2022. 2022. pp. 1-1.
Blokhin S.A., Ledentsov N.J., Rochas S.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Chorchos L., Makarov O.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y., Ledentsov N.N. 1300-nm wafer-fused VCSELs with InGaAs/InAlGaAs superlattice-based active region. Proceedings of SPIE. 2022. Vol. 12020. pp. 120200K.
Kovach Y., Petrenko A.A., Rochas S.S., Shiryaev D.S., Borodkin A.I., Kolodeznyi E.S. Ring-Shaped Contamination Detection System. Springer Proceedings in Physics. 2022. Vol. 268. pp. 421-427.
Blokhin S., Babichev A., Gladyshev A., Karachinsky L., Novikov I., Blokhin A., Rochas S., Denisov D., Voropaev K., Ionov A., Ledentsov N., Egorov A. Wafer-fused 1300 nm VCSELs with an active region based on superlattice. Electronics Letters. 2021. Vol. 57. No. 18. pp. 697-698.
1.3 um vertical-cavity surface-emitting lasersbased on InGaAs/InGaAlAs superlattice
Rochas S.S., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bougrov V.E., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting lasers of 1.3 Mu m spectral range based on the InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012176.
Petrenko A., Rochas S.S., Karachinskii L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bugrov V., Blochin S., Blochin A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Characterization of lasing regimes of 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers based on a short-period InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 688-691.
Novikov I.I., Nadtochiy A.M., Potapov A.Y., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Journal of Luminescence. 2021. Vol. 239. pp. 118393.
Andryushkin V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Rochas S.S., Maleev N.A., Khvostikov V., Ber B.Y., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Investigation of the zinc diffusion process into epitaxial layers of indium phosphide and indium-gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 742-745.
Вертикально-излучающий лазер на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs, спектрального диапазона 1310 нм
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 um с заращенным туннельным переходом. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 22. С. 3-8.
Блохин С.А., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Блохин А.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Надточий А.В., Неведомский В.Н., Андрюшкин В.В., Рочас С.С., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Жумаева И.О., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm. Журнал технической физики. 2021. Т. 91. № 12. С. 2008-2017.
Rochas S.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Blokhin S.A., Nevedomskii V.N., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Wafer fusion technique features for near-IR laser sources. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012107.
Wafer fusion technique features for efficientand effective bonding of A3B5 materials
Петренко А.А., Рочас С.С., Карачинский Л.Я., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Копытов П.Е., Бугров В.Е., Блохин С.А., Блохин А.А., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. Характеризация режимов лазерной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,3 мкм на основе короткопериодной сверхрешётки InGaAs/InGaAlAs. Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 11-16.
Особенности технологии спекания для источников излучения ближнего ИК-диапазона
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 um с туннельным переходом на основе слоев n+-InGaAs/p+-InGaAs/p+-InAlGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 23. С. 3-7.
Оптоэлектронные приборы: характеристики и применения. Методические указания к выполнению лабораторных работ.
Rochas S.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Shernyakov Y.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. 1.55 Mu m range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012072.
Рочас С.С., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Бабичев А.В., Андрюшкин В.В., Неведомский В.Н., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 27-30.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Vasil’Ev A.P., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser for the 1.55-mu m Spectral Range with Tunnel Junction Based on n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs Layers. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 9. pp. 854–858.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Vasil’Ev A.P., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. The Effect of a Saturable Absorber in Long-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated by Wafer Fusion Technology. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 12. pp. 1257-1262.
Blokhin S.A., Nevedomsky V.N., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Vasyl’Ev A.P., Rochas S.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. 1.55-mu m-Range Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Manufactured by Wafer Fusion of Heterostructures Grown by Solid-Source Molecular-Beam Epitaxy. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 10. pp. 1276-1283.
Блохин С.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 um с туннельным переходом на основе слоев n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 17. С. 21-25.
Блохин С.А., Неведомский В.Н., Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников. Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 10. С. 1088-1096.
Эффект насыщающегося поглотителя в вертикальноизлучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания пластин
Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленный методом спекания пластин, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Vasyl’Ev A.P., Kuzmenkov A.G., Troshkov S.I., Ustinov V.M., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting laser of 1.55 Mu m spectral range, manufactured by molecular beam epitaxy and wafer fusion technique. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012178.
Система детектирования загрязнений лидара беспилотного автомобиля
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Vasil’Ev A.P., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. A Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser for the 1.55-mu m Spectral Range with Tunnel Junction Based onn(++)-InGaAs/p(++)-InGaAs/p(++)-InAlGaAs Layers. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 9. pp. 854-858.
Optical gain in laser heterostructures with active region based on InGaAs/InGaAlAs superlattice
Smirnov A.M., Krasnitckii S.A., Rochas S.S., Gutkin M.Y. Critical conditions of dislocation generation in core-shell nanowires: A Review. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2020. Vol. 2. No. 3. pp. 19-43.
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Васильев А.П., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Рочас С.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 49-54.
Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Nevedomskii V.N., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. The Influence of the Parameters of a Short-Period InGaAs/InGaAlAs Superlattice on Photoluminescence Efficiency. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1128–1131.
Ковач Я.Н., Рочас С.С. Кольцевая оптическая система детектирования загрязнений. Неделя науки ИФНиТ: сборник материалов Всероссийской конференции (Санкт-Петербург, 16–20ноября 2020г.). 2020. С. 150-153.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 1. pp. 140-144.
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Зубов Ф.И., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 mM на основе бесфосфорных гетероструктур. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23.
Temperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region
High performance wafer fused 1550 nm VCSELs
High-speed Photodetectors For O-, and C+L Transmission Bands in Microwave Photinic Channel
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 8. pp. 1104-1109.
Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1236. No. 1. pp. 012071.
Kolodeznyi E.C., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm-Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 788.
Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Optical Gain in Laser Heterostructures with an Active Area Based on an InGaAs/InGaAlAs Superlattice. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 6. pp. 1053-1056.
Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAsTemperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012104.
Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 549–552.
Влияние конструкции активной области на излучательные параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм
Влияние времени жизни фотонов на быстродействие вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания пластин
GaAs and InP wafer fusion for VCSEL fabrication
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1128-1134.
Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 12. С. 963-966.
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 mM, сформированного методом спекания пластин. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 7. С. 145-149.
АНАЛИЗ ПАРАМЕТРОВ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА ДИАПАЗОНА 1535 1565 НМ ИЗГОТОВЛЕННОГО МЕТОДОМ СПЕКАНИЯ ПЛАСТИН
ОПТИМИЗАЦИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА, ИЗЛУЧАЮЩЕГО В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1530-1565 НМ
Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures
Влияние легирования барьерных слоёв на эффективность фотолюминесценции квантовых ям спектрального диапазона 1550 нм
Photoluminescence efficiency of 1550 nm quantum well heterostructures with delta-doping barriers
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 170.
Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 9. С. 1034-1037.
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Erratum to: Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 4. pp. 599.
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them. Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 2. pp. 238-242.
Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 9. pp. 1156-1159.
Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе. Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. № 2. С. 229-233.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ P-I-N ФОТОПРИЕМНИК ДЛЯ ПЕРВОГО ОКНА ПРОЗРАЧНОСТИ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ
Рочас С.С., Шарипо К.Д., Колодезный Е.С., Козырева О.А., Егоров А.Ю. Разработка гетероструктуры резонансного P-I-N фотоприемника спектрального диапазона 840–860 НМ. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 272-274.
Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 194-197.
Гетероструктура резонансного p-i-n фотоприемника спектрального диапазона 850 нм
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург