Коненкова Елена Васильевна

Должность: ассистент

Кафедра: факультет прикладной оптики

Уч. степень: кандидат физико-математических наук

Стаж: 1 год

Условие работы: Внешний совместитель

Трудовой договор: с 09/17/2018 по 06/30/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы; Квалификация: инженер-физик;

Повышение квалификации:

№ п/п
Тип
Название
Год
Описание
Страна
Город
1
Повышение квалификации
Разработка адаптированных образовательных программ высшего образования для обучающихся инвалидов и лиц с ограниченными возможностями здоровья
2017
Российская Федерация
Санкт-Петербург

Список трудов:

  1. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Гущина Е.В., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 2. С. 96-103. [Тип: Статья, Год: 2018]
  2. Bessolov V.N., Gushchina E.V., Konenkova E.V., L’Vova T.V., Panteleev V.N., Shcheglov M.P. Hexagonal AlN Layers Grown on Sulfided Si(100) Substrate. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 1. pp. 81-83. [Тип: Статья, Год: 2018]
  3. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667. [Тип: Статья, Год: 2017]
  4. Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37. [Тип: Статья, Год: 2017]
  5. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681. [Тип: Статья, Год: 2017]