Кремлева Арина Валерьевна

Должность: ассистент

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Стаж: 3 года

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2019 по 06/30/2021

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: Электроника; Квалификация: магистр;

Наименование направления подготовки и (или) специальности:

Преподаваемые дисциплины:

  • Рост и физические свойства кристаллов / Physics and technology of crystal growth
  • Рост и физические свойства кристаллов

Повышение квалификации:

№ п/п
Тип
Название
Год
Описание
Страна
Город
1
Повышение квалификации
Моделирование и численный анализ условий кристаллизации и технологии выращивания методом электроосаждения специфических нанообъектов
2019
Российская Федерация

Список трудов:

  1. Structure characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 grown from the melt [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  2. Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103. [Тип: Статья, Год: 2018]
  3. Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 2) [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2018]
  4. Разработка системы беспроводной односторонней передачи данных на основе технологии Light ID [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  5. Современные тенденции развития оптоэлектроники. Лабораторный практикум Ч. 1 [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2018]
  6. Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3 [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  7. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185. [Тип: Статья, Год: 2017]
  8. Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  9. Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055. [Тип: Статья, Год: 2016]
  10. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36. [Тип: Статья, Год: 2016]
  11. Кириленко Д.А., Кремлева А.В., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Мынбаева М.Г., Николаев В.И. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 24. С. 60-68. [Тип: Статья, Год: 2014]
  12. Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 12. pp. 1117-1120. [Тип: Статья, Год: 2014]