Кремлева Арина Валерьевна

Должность: ассистент

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Стаж: 1 год

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2018 по 06/30/2021

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: Электроника; Квалификация: магистр;

Список трудов:

  1. Кремлева А.В., Липницкая С.Н., Романов А.Е., Бугров В.Е. Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 1) - 2018 [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2018]
  2. Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 2) [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2018]
  3. Разработка системы беспроводной односторонней передачи данных на основе технологии Light ID [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  4. Кремлева А.В., Kirilenko D.A. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185. [Тип: Статья, Год: 2017]
  5. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185. [Тип: Статья, Год: 2017]
  6. Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3 [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  7. Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  8. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36. [Тип: Статья, Год: 2016]
  9. Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х.К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055. [Тип: Статья, Год: 2016]
  10. Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 12. pp. 1117-1120. [Тип: Статья, Год: 2014]
  11. Кириленко Д.А., Кремлева А.В., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Мынбаева М.Г., Николаев В.И. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 24. С. 60-68. [Тип: Статья, Год: 2014]