Лещенко Егор Дмитриевич

Должность: ассистент

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Стаж: 2 года

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2018 по 08/31/2021

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: физика; Квалификация: магистр;

Повышение квалификации:

№ п/п
Тип
Название
Год
Описание
Страна
Город
1
Стажировка
LUT Winter School
2018
Финляндия

Список трудов:

  1. Leshchenko E.D., Ghasemi M., Dubrovskii V.G., Johansson J. Nucleation-limited composition of ternary III-V nanowires forming from quaternary gold based liquid alloys. CrystEngComm. 2018. Vol. 20. No. 12. pp. 1649-1655. [Тип: Статья, Год: 2018]
  2. Tuning the morphology of Ga-catalyzed GaP nanowires in gas source molecular beam epitaxy [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  3. Modeling the morphology of self-assisted GaP nanowires grown by molecular beam epitaxy [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  4. Leshchenko E.D., Kuyanov P., Laperr R., Dubrovskii V.G. Tuning the morphology of self-assisted GaP nanowires. Nanotechnology. 2018. Vol. 29. No. 22. pp. 225603. [Тип: Статья, Год: 2018]
  5. Leshchenko E.D., Kuyanov P., Lapierre R.R., Dubrovskii V.G. Modeling the morphology of self-assisted GaP nanowires grown by molecular beam epitaxy. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 381. [Тип: Статья, Год: 2018]
  6. Inhomogeneous Be doping in GaAs nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  7. Narrowing the size distribution of self-catalyzed III-V nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  8. Dastjerdi M., Fiordaliso E., Leshchenko E.D., Akhtari-Zavareh A., Kasama T., Aagesen M., Dubrovskii V.G., Lapierre R.R. Three-fold symmetric doping mechanism in GaAs nanowires. Nano Letters. 2017. Vol. 17. No. 10. pp. 5875–5882. [Тип: Статья, Год: 2017]
  9. Профиль распределения Be в GaAs нитевидных нанокристаллах [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  10. Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Inhomogeneous Dopant Distribution in III-V Nanowires. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 11. pp. 1427-1430. [Тип: Статья, Год: 2017]
  11. The dopant profiles in GaAs nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  12. Лещенко Е.Д., Дубровский В.Г. Неоднородное распределение легирующей примеси в AIII-BV нитевидных нанокристаллах. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 11. С. 1480-1483. [Тип: Статья, Год: 2017]
  13. Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Doping profiles during nanowire growth via the vapor-liquid-solid mechanism. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032025. [Тип: Статья, Год: 2017]
  14. Лещенко Е.Д., Турчина М.А., Дубровский В.Г. Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 15. С. 95-102. [Тип: Статья, Год: 2016]