Егоров Антон Юрьевич

Должность: профессор

Кафедра: кафедра световых технологий и оптоэлектроники

Уч. степень: доктор физико-математических наук

Стаж: 1 год

Условие работы: Внешний совместитель

Трудовой договор: с 09/01/2016 по 06/30/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: оэп; Квалификация: инженер-электрик;

Список трудов:

  1. High-speed 1.3-1.55 um PIN photodetector based on InGaAs/InP heterostructure for microwave photonics [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  2. Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Nevedomskiy V.N., Nikitina E.V., Lazarenko A.A., Egorov A.Y., Maximov M.V., Moiseev E.I., Zhukov A.E. Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 2. pp. 267-271. [Тип: Статья, Год: 2017]
  3. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C. Proceedings of SPIE. 2017. Vol. 10098. pp. 1009811. [Тип: Статья, Год: 2017]
  4. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y. Nonlinear behavior of the emission in the periodic structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix. Physica status solidi (b). 2017. Vol. 254. No. 4. pp. 1600402. [Тип: Статья, Год: 2017]
  5. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  6. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs. Proceedings of SPIE. 2017. Vol. 10122. pp. 1012208. [Тип: Статья, Год: 2017]
  7. Baranov A.I., Kleider J.P., Gudovskikh A.S., Darga A., Nikitina E.V., Egorov A.Y. Deep-level study of Ga(In)P(NAs) alloys grown on Si substrates. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012077. [Тип: Статья, Год: 2016]
  8. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций. Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 302-306. [Тип: Статья, Год: 2016]
  9. Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Usikova A.A., Il'Inskaya N.D., Lyutetskiy A.V., Zadiranov Y.M., Portnoi E.L. Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 6. pp. 828-831. [Тип: Статья, Год: 2016]
  10. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 8. pp. 1097-1101. [Тип: Статья, Год: 2016]
  11. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 663-667. [Тип: Статья, Год: 2016]
  12. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Влияние конструкции переходного слоя In0.52Al0.48As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 6. С. 14-19. [Тип: Статья, Год: 2016]
  13. Гаджиев И.М., Буяло М.С., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Лютецкий А.В., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 6. С. 843-847. [Тип: Статья, Год: 2016]
  14. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 624-627. [Тип: Статья, Год: 2016]
  15. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 5. pp. 612-615. [Тип: Статья, Год: 2016]
  16. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1299–1303. [Тип: Статья, Год: 2016]
  17. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Nevedomskiy V.N., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-locking and Q-switching in 1.06 mu m two-sectional QW lasers due to stark effect. International Conference Laser Optics, LO 2016. 2016. pp. R37. [Тип: Статья, Год: 2016]
  18. Goray L., Egorov A.Y. Breaking the efficiency limit for high-frequency blazed multilayer soft x-ray gratings: Conical vs classical diffraction. Applied Physics Letters. 2016. Vol. 109. No. 10. pp. 103502. [Тип: Статья, Год: 2016]
  19. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 76-81. [Тип: Статья, Год: 2016]
  20. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices. Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119. No. 20. pp. 204303. [Тип: Статья, Год: 2016]
  21. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1429-1433. [Тип: Статья, Год: 2016]
  22. Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  23. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  24. Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  25. Структурные и оптические свойства упругонапряженных InGAs квантовых ям спектральног диапазона 1520-1580 нм [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  26. High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  27. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Egorov A.Y. The influence of an In0.52Al0.48As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 3. pp. 284-286. [Тип: Статья, Год: 2016]
  28. Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Lazarenko A.A., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Morozov I.A., Egorov A.Y. GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 5. pp. 652-655. [Тип: Статья, Год: 2016]
  29. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 9. pp. 1186-1190. [Тип: Статья, Год: 2016]
  30. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1412–1415. [Тип: Статья, Год: 2016]
  31. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 4. С. 569-572. [Тип: Статья, Год: 2015]
  32. Zaitsev D.A., Il'Ynskaya N.D., Koudinov A.V., Poletaev N.K., Nikitina E.V., Egorov A.Y., Kavokin A.V., Seisyan R.P. Diffusive Propagation of Exciton-Polaritons through Thin Crystal Slabs. Scientific Reports. 2015. Vol. 5. pp. 11474. [Тип: Статья, Год: 2015]
  33. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1569-1573. [Тип: Статья, Год: 2015]
  34. Баранов А.И., Гудовских А.С., Зеленцов К.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 4. С. 534-538. [Тип: Статья, Год: 2015]
  35. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 3. pp. 284-288. [Тип: Статья, Год: 2015]
  36. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L.I., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y., Clark S.J. Super-radiant mode in InAs-monolayer-based Bragg structures. Scientific Reports. 2015. Vol. 5. pp. 14911. [Тип: Статья, Год: 2015]
  37. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 11. pp. 1527-1530. [Тип: Статья, Год: 2015]
  38. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 11. pp. 1522-1526. [Тип: Статья, Год: 2015]
  39. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Berezovskaya T.N., Nevedomskiy V.N. Metamorphic distributed Bragg reflectors for the 1440–1600 nm spectral range: Epitaxy, formation, and regrowth of mesa structures. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 10. pp. 1388-1392. [Тип: Статья, Год: 2015]
  40. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Power increase in Q-switched two-sectional quantum well lasers due to Stark effect. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 10. pp. 984-986. [Тип: Статья, Год: 2015]
  41. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 20. С. 30-36. [Тип: Статья, Год: 2015]
  42. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1574-1577. [Тип: Статья, Год: 2015]
  43. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 10. С. 1434-1438. [Тип: Статья, Год: 2015]
  44. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice. Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30. No. 11. pp. 115013. [Тип: Статья, Год: 2015]
  45. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Денисов Д.В., Егоров А.Ю. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP1-xNx и GaP1-x-y Nx Asy, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 4. С. 489-493. [Тип: Статья, Год: 2015]
  46. Мизеров А.М., Кладько П.Н., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111). Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 2. С. 283-286. [Тип: Статья, Год: 2015]
  47. Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 9. С. 1186-1191. [Тип: Статья, Год: 2014]
  48. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 407-411. [Тип: Статья, Год: 2014]
  49. Егоров А.Ю., Брунков П.Н., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Лазаренко А.А., Байдаков М.В., Кириленко Д.А., Конников С.Г. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 12. С. 1640-1645. [Тип: Статья, Год: 2014]
  50. Бабичев А.В., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 4. С. 518-522. [Тип: Статья, Год: 2014]
  51. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications. Nanotechnology. 2014. Vol. 25. No. 33. pp. 335707. [Тип: Статья, Год: 2014]
  52. Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 396-401. [Тип: Статья, Год: 2014]
  53. Григорьева Н.Р., Егоров А.Ю., Зайцев Д.А., Никитина Е.В., Сейсян Р.П. Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 6. С. 774-780. [Тип: Статья, Год: 2014]
  54. Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G..., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Zhang J..., Pauporte T..., Tchernycheva M... Characterization and modeling of a ZnO nanowire ultraviolet photodetector with graphene transparent contact. Journal of Applied Physics. 2013. Vol. 114. No. 23. pp. 234505. [Тип: Статья, Год: 2013]
  55. Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. GaN nanowire ultraviolet photodetector with a graphene transparent contact. Applied Physics Letters. 2013. Vol. 103. No. 20. pp. 201103. [Тип: Статья, Год: 2013]
  56. Баранов А.И., Гудовских А.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP. Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 24. С. 88-94. [Тип: Статья, Год: 2013]
  57. Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Егоров А.Ю. Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота. Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 24. С. 81-87. [Тип: Статья, Год: 2013]
  58. Dagnelund D., Stehr J., Egorov A.Y., Chen W.M., Buyanova I.A. Optically detected magnetic resonance studies of point defects in quaternary GaNAsP epilayers grown by vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters. 2013. Vol. 102. No. 2. pp. 021910. [Тип: Статья, Год: 2013]
  59. Блохин С.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Стеценко В.В., Павлов М.М., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Задиранов Ю.М., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона. Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. № 6. С. 833-837. [Тип: Статья, Год: 2013]