Осипов Андрей Викторович

Должность: профессор

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Уч. степень: доктор физико-математических наук

Стаж: 3 года

Условие работы: Внешний совместитель

Трудовой договор: с 09/01/2018 по 06/30/2021

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: физика; Квалификация: физик;

Список трудов:

  1. Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Osipov A.V., Redkov A.V., Timoshnev S.N. Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues. Thin Solid Films. 2018. Vol. 646. pp. 158-162. [Тип: Статья, Год: 2018]
  2. Kukushkin S.A., Sharofidinov S.S., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dydenchuk A.F. The Mechanism of Growth of GaN Films by the HVPE Method on SiC Synthesized by the Substitution of Atoms on Porous Si Substrates. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. Vol. 7. No. 9. pp. P480-P486. [Тип: Статья, Год: 2018]
  3. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 382. [Тип: Статья, Год: 2018]
  4. Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rubets V.P. Epitaxial Growth of Cadmium Selenide Films on Silicon with a Silicon Carbide Buffer Layer. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 3. pp. 504-509. [Тип: Статья, Год: 2018]
  5. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Il’Kiv I.V., Khrebtov A.I., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A(3)B(5) Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. pp. 1040689. [Тип: Статья, Год: 2018]
  6. Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Soshnikov I.P. Study of the Anisotropic Elastoplastic Properties of beta-Ga2O3 Films Synthesized on SiC/Si Substrates. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 5. pp. 852-857. [Тип: Статья, Год: 2018]
  7. Osipov A.V., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Soshnikov I.P. Structural and elastoplastic properties of beta-Ga2O3 films grown on hybrid SiC/Si substrates. Continuum Mechanics and Thermodynamics. 2018. Vol. 30. No. 5. pp. 1059-1068. [Тип: Статья, Год: 2018]
  8. Kalinkin I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Effect of Chemical Treatment of a Silicon Surface on the Quality and Structure of Silicon-Carbide Epitaxial Films Synthesized by Atom Substitution. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 6. pp. 802-808. [Тип: Статья, Год: 2018]
  9. Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F. Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Silicon. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. Vol. 7. No. 4. pp. P158-P160. [Тип: Статья, Год: 2018]
  10. Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F. Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2018. Vol. 36. No. 1. pp. 39-52. [Тип: Статья, Год: 2018]
  11. Кідалов В.В., Кукушкiн С.А., Осіпов А.В., Редьков А.В., Гращенко А.С., Сошніков I.П., Бойко М.Е., Шарков М.Д., Дяденчук А.Ф.Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms].Журнал нано- и электронной физики [Journal of Nano- and Electronic Physics].2018. Т. 10. № 3. С. 03026. [Тип: Статья, Год: 2018]
  12. Гращенко А.С., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Калинина Е.В., Кукушкин С.А. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 5. С. 651. [Тип: Статья, Год: 2017]
  13. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 3. С. 414-420. [Тип: Статья, Год: 2017]
  14. Grudinkin S.A., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 12. pp. 2430-2435. [Тип: Статья, Год: 2017]
  15. Kukushkin S.A., Osipov A.V. A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 6. pp. 1238-1241. [Тип: Статья, Год: 2017]
  16. Grashchenko A.S., Feoktistov N.A., Osipov A.V., Kalinina E.V., Kukushkin S.A. Photoelectric characteristics of silicon carbide-silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 5. pp. 621-627. [Тип: Статья, Год: 2017]
  17. Kukushkin S.A., Nussupov K.K., Osipov A.V., Beisenkhanov N.B., Bakranova D.I. X-Ray Reflectometry and Simulation of the Parameters of SiC Epitaxial Films on Si(111), Grown by the Atomic Substitution Method. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 5. pp. 1014-1026. [Тип: Статья, Год: 2017]
  18. Kukushkin S.A., Osipov A.V. The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 7. pp. 631-634. [Тип: Статья, Год: 2017]
  19. Кукушкин С.А., Нусупов К.Х., Осипов А.В., Бейсенханов Н.Б., Бакранова Д.И. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 5. С. 986-998. [Тип: Статья, Год: 2017]
  20. Kukushkin S.A., Nussupov K.K., Osipov A.V., Beisenkhanov N.B., Bakranova D.I. Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon. Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. pp. 899-911. [Тип: Статья, Год: 2017]
  21. Rozhavskaya M.M., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Myasoedov A.V., Troshkov S.I., Sorokin L.M., Brunkov P.N., Baklanov A.V., Telyatnik R.S., Juluri R.R., Pedersen K.B., Popok V.N. Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2017. Vol. 214. No. 10. pp. 1700190. [Тип: Статья, Год: 2017]
  22. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667. [Тип: Статья, Год: 2017]
  23. Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 108-116. [Тип: Статья, Год: 2017]
  24. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Red’Kov A.V. Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 3. pp. 396-401. [Тип: Статья, Год: 2017]
  25. Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37. [Тип: Статья, Год: 2017]
  26. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681. [Тип: Статья, Год: 2017]
  27. Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 2. pp. 399-402. [Тип: Статья, Год: 2017]
  28. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate. Physica B: Condensed Matter. 2017. Vol. 512. pp. 26-31. [Тип: Статья, Год: 2017]
  29. Kitaev Y.E., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 1. pp. 28-33. [Тип: Статья, Год: 2017]
  30. Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V. Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. pp. 151-156. [Тип: Статья, Год: 2017]
  31. Egorov V.K., Egorov E.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 773-779. [Тип: Статья, Год: 2017]
  32. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P. Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method. Reviews on Advanced Materials Science. 2017. Vol. 52. No. 1-2. pp. 29-42. [Тип: Статья, Год: 2017]
  33. Sharofidinov S.S., Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032028. [Тип: Статья, Год: 2017]
  34. Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 12. С. 2403-2408. [Тип: Статья, Год: 2017]
  35. Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 872. No. 1. pp. 012030. [Тип: Статья, Год: 2017]
  36. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032014. [Тип: Статья, Год: 2017]
  37. Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Osipov A.V., Redkov A.V., Telyatnik R.S., Timoshnev S.N. Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032038. [Тип: Статья, Год: 2017]
  38. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Quantum mechanical theory of epitaxial transformation of silicon to silicon carbide. Journal of Physics D: Applied Physics. 2017. Vol. 50. No. 46. pp. 464006. [Тип: Статья, Год: 2017]
  39. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Shtrom I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Cirlin G.E. MBE Growth of Ultrathin III–V Nanowires on a Highly Mismatched SiC/Si(111) Substrate. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 11. pp. 1472–1476. [Тип: Статья, Год: 2017]
  40. Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: Vacancy mechanism. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 82-92. [Тип: Статья, Год: 2016]
  41. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Ilkiv I.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of GaN nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate. International Conference Laser Optics, LO 2016. 2016. pp. R92. [Тип: Статья, Год: 2016]
  42. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Telyatnik R.S. Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 5. pp. 971-980. [Тип: Статья, Год: 2016]
  43. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 4. pp. 747-751. [Тип: Статья, Год: 2016]
  44. Bessolov V.N., Karpov D.V., Konenkova E.V., Lipovskii A.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A. Pendeo-epitaxy of stress-free AlN layer on a profiled SiC/Si substrate. Thin Solid Films. 2016. Vol. 606. pp. 74-79. [Тип: Статья, Год: 2016]
  45. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Ilkiv I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. The use of SiC/Si(111) hybrid substrate for MBE growth of GaN nanowires. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012027. [Тип: Статья, Год: 2016]
  46. Redkov A.V., Osipov A.V., Mukhin I.S., Kukushkin S.A. Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012034. [Тип: Статья, Год: 2016]
  47. Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 6. pp. 639-643. [Тип: Статья, Год: 2016]
  48. Telyatnik R.S., Osipov A.V., Kukushkin S.A. AB initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strains. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 1-16. [Тип: Статья, Год: 2016]
  49. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 9. pp. 1876-1881. [Тип: Статья, Год: 2016]
  50. Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V. The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4A layer and Cs/SiC/Si(111)-4A interface. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1327-1332. [Тип: Статья, Год: 2016]
  51. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4o и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 23. С. 51-57. [Тип: Статья, Год: 2016]
  52. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Сергеева О.Н., Киселев А.А., Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Каптелов Е.Ю., Сенкевич С.В., Пронин И.П. Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 5. С. 937-940. [Тип: Статья, Год: 2016]
  53. Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 9. С. 1812-1817. [Тип: Статья, Год: 2016]
  54. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Romanychev A.I. Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 7. pp. 1448-1452. [Тип: Статья, Год: 2016]
  55. Reznik R.R., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E., Cirlin G. MBE Growth and Optical Properties of GaN Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1748. pp. 040003. [Тип: Статья, Год: 2016]
  56. Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 12. pp. 1145-1148. [Тип: Статья, Год: 2016]
  57. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Романычев А.И. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 7. С. 1398-1402. [Тип: Статья, Год: 2016]
  58. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Телятник Р.С. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 5. С. 941-949. [Тип: Статья, Год: 2016]
  59. Kukushkin S.A., Osipov A.V. Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 2. pp. 175-178. [Тип: Статья, Год: 2016]
  60. Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 3. pp. 629-632. [Тип: Статья, Год: 2016]
  61. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 4. С. 725-729. [Тип: Статья, Год: 2016]
  62. Редьков А.В., Осипов А.В., Кукушкин С.А. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 12. С. 64-72. [Тип: Статья, Год: 2016]
  63. Reznik R.R., Kotlyar K.P., Il’Kiv I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 10. pp. 1952-1955. [Тип: Статья, Год: 2016]
  64. Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V., Timoshnev S.N. Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 22. No. 2. pp. 183-190. [Тип: Статья, Год: 2015]
  65. Kukushkin S.A., Osipov A.V. The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 3. pp. 259-262. [Тип: Статья, Год: 2015]
  66. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rozhavskaya M.M., Myasoedov A.V., Troshkov S.I., Lundin V.V., Sorokin L.M., Tsatsul’Nikov A.F. Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 9. pp. 1899-1907. [Тип: Статья, Год: 2015]
  67. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рожавская М.М., Мясоедов А.В., Трошков С.И., Лундин В.В., Сорокин Л.М., Цацульников А.Ф. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 9. С. 1850-1858. [Тип: Статья, Год: 2015]
  68. Редьков А.В., Осипов А.В., Кукушкин С.А. Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 12. С. 2451-2457. [Тип: Статья, Год: 2015]
  69. Грудинкин С.А., Голубев В.Г., Осипов А.В., Феоктистов Н.А., Кукушкин С.А. Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 12. С. 2469-2474. [Тип: Статья, Год: 2015]
  70. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Равновесное состояние в трехэлементной системе Si-O-C при росте SiC методом химического замещения атомов. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 6. С. 1-9. [Тип: Статья, Год: 2015]
  71. Bessolov V.N., Grashchenko A.S., Konenkova E.V., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Red’Kov A.V., Rodin S.N., Rubets V.P., Kukushkin S.A. Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 10. pp. 1966-1971. [Тип: Статья, Год: 2015]
  72. Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Stability of the surface of an elastically strained multicomponent film in a system with chemical reactions. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 12. pp. 2524-2531. [Тип: Статья, Год: 2015]
  73. Grudinkin S.A., Golubev V.G., Osipov A.V., Feoklistov N.A., Kukushkin S.A. Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 12. pp. 2543-2549. [Тип: Статья, Год: 2015]
  74. Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Surface defects formation on strained thin films growing via chemical reaction: a model. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012005. [Тип: Статья, Год: 2015]
  75. Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 1. pp. 35-40. [Тип: Статья, Год: 2015]
  76. Бессолов В.Н., Гращенко А.С., Коненкова Е.В., Мясоедов А.В., Осипов А.В., Редьков А.В., Родин С.Н., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 10. С. 1916-1921. [Тип: Статья, Год: 2015]
  77. Тумаркин А.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Анкудинов А.В., Одинец А.А. Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 4. С. 796-801. [Тип: Статья, Год: 2015]
  78. Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Сорокин Л.М., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П., Кукушкин С.А., Метс Л.И., Осипов А.В. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии. Письма в Журнал технической физики. 2010. Т. 36. № 11. С. 17-23. [Тип: Статья, Год: 2010]
  79. Аксянов И.Г., Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Родин С.Н., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П. Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя. Письма в Журнал технической физики. 2008. Т. 34. № 11. С. 54-61. [Тип: Статья, Год: 2008]