Липсанен Харри Калеви

Должность: профессор (исследователь)

Кафедра: международный научный центр функциональных материалов и устройств оптоэлектроники

Уч. степень: PhD, физико-математические науки

Стаж: 1 год

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2019 по 12/31/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Квалификация: магистр;

Список трудов:

  1. Seppanen H., Kim I., Etula J., Ubyivovk E.V., Bouravleuv A., Lipsanen H. Aluminum nitride transition layer for power electronics applications grown by plasma-enhanced atomic layer deposition. Materials. 2019. Vol. 12. No. 3. pp. 406. [Тип: Статья, Год: 2019]
  2. Berdnikov Y.S., Sibirev N. V. ., Khayrudinov V., Alaferdov A., Moshkalev S., Ubyivovk E., Lipsanen H., Bouravleuv A. Growth of GaAs Nanowire–Graphite Nanoplatelet Hybrid Structures. CrystEngComm. 2019. Vol. 21. No. 41. pp. 6165-6172. [Тип: Статья, Год: 2019]
  3. Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103. [Тип: Статья, Год: 2018]
  4. Trukhin V.N., Mustafin I.A., Kakko J.P., Lipsanen H. Terahertz generation by periodic arrays of GaAs/AlGaAs core/shell nanowires. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1092. No. 1. pp. 012156. [Тип: Статья, Год: 2018]
  5. Alekseev P.A., Geydt P., Dunaevskiy M.S., Lahderanta E., Haggren T., Kakko J.P., Lipsanen H. I-V curve hysteresis induced by gate-free charging of GaAs nanowires' surface oxide. Applied Physics Letters. 2017. Vol. 111. No. 13. pp. 132104. [Тип: Статья, Год: 2017]
  6. Прасолов Н.Д., Кравченко М.Ю., Дорогин Л.М., Липсанен Х., Гуткин А.А., Брунков П.Н. Molecular Dynamics Simulations of GaAs-crystal Surface Nanoindentation [Моделирование методом молекулярной динамики процесса наноиндентации поверхности кристаллического GaAs]. Университетский научный журнал. 2017. № 35. С. 40-47. [Тип: Статья, Год: 2017]
  7. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 2. pp. 239-244. [Тип: Статья, Год: 2017]
  8. Trukhin V.N., Bouravleuv A.D., Mustafin I.A., Eliseev A.I., Cirlin G.E., Kakko J.P., Lipsanen H. Fast dynamics of photoexcited electron-hole plasma in GaAs nanowires. International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz. 2017. pp. 8067225. [Тип: Статья, Год: 2017]
  9. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures. Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 85. pp. 246-250. [Тип: Статья, Год: 2017]
  10. Трухин В.Н., Буравлев А.Д., Мустафин И.А., Цырлин Г.Э., Kakko J., Липсанен Х. Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 12. С. 1631. [Тип: Статья, Год: 2017]
  11. Dunaevskiy M.S., Geydt P., Lakhderanta E., Alekseev P., Haggren T., Kakko J., Jiang H., Lipsanen H. Young’s Modulus of Wurtzite and Zinc Blende InP Nanowires. Nano Letters. 2017. Vol. 17. No. 6. pp. 3441-3446. [Тип: Статья, Год: 2017]
  12. Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P). Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 1(101). С. 76-84. [Тип: Статья, Год: 2016]
  13. Trukhin V.N., Buravlev A.D., Mustafin I.A., Cirlin G.E., Kuritsyn D.I., Rumyantsev V.V., Morosov S.V., Kakko J.P., Huhtio T., Lipsanen H.K. Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 12. pp. 1561-1565. [Тип: Статья, Год: 2016]
  14. Трухин В.Н., Буравлев А.Д., Мустафин И.А., Цырлин Г.Э., Курицин Д.И., Румянцев В.В., Морозов С.В., Kakko J., Huhito T., Липсанен Х. X Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 12. С. 1587-1591. [Тип: Статья, Год: 2016]
  15. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36. [Тип: Статья, Год: 2016]
  16. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 71-75. [Тип: Статья, Год: 2016]
  17. Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055. [Тип: Статья, Год: 2016]
  18. Geydt P., Dunaevskiy M.S., Alekseev A., Kakko J.P., Haggren T., Lahderanta E., Lipsanen H. Direct measurement of elastic modulus of InP nanowires with Scanning Probe Microscopy in PeakForce QNM mode. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 769. No. 1. pp. 012029. [Тип: Статья, Год: 2016]
  19. Trukhin V.N., Bouravleuv A.D., Mustafin I.A., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Kuritsyn D.I., Cirlin G.E., Kakko J.P., Huhtio T., Lipsanen H. Efficient terahertz generation by ordered arrays of GaAs nanowires. International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz. 2016. pp. 7758913. [Тип: Статья, Год: 2016]
  20. Shtrom I.V., Bouravleuv A.D., Samsonenko Y.B., Khrebtov A.I., Soshnikov I.P., Reznik R.R., Cirlin G.E., Dhaka V., Perros A., Lipsanen H. Surface Passivation of GaAs Nanowires by the Atomic Layer Deposition of AlN. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 12. pp. 1619-1621. [Тип: Статья, Год: 2016]
  21. Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2015. Т. 15. № 2(96). С. 202-210. [Тип: Статья, Год: 2015]
  22. Rudinsky M.E., Karpov S.I., Lipsanen H., Romanov A.E. Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 3. pp. 278-283. [Тип: Статья, Год: 2015]
  23. Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2014. № 6(94). С. 71-76. [Тип: Статья, Год: 2014]
  24. Bouravleuv A.D., Cirlin G.E., Sapega V.F., Werner P.E., Savin A., Lipsanen H.K. Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 2013. Vol. 113. No. 14. pp. 144303. [Тип: Статья, Год: 2013]
  25. Trukhin V.N., Buravlev A.D., Dhaka V., Cirlin G.E., Mustafin I.A., Kaliteevski M.A., Lipsanen H.K., Samoilov L.L., Samsonenko Y.B. Carriers transport in GaAs nanowires. International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz. 2013. pp. 6665451. [Тип: Статья, Год: 2013]
  26. Ali M., Svensk O., Riuttanen L., Kruse M., Suihkonen S., Romanov A.E., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning. Semiconductor Science and Technology. 2012. Vol. 27. No. 8. pp. 082002. [Тип: Статья, Год: 2012]
  27. Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H.K., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN. Journal of Crystal Growth. 2011. Vol. 315. No. 1. pp. 188-191. [Тип: Статья, Год: 2011]
  28. Torma P., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H.K., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates. CrystEngComm. 2010. Vol. 12. No. 10. pp. 3152-3156. [Тип: Статья, Год: 2010]