Колодезный Евгений Сергеевич

Должность: ассистент

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Стаж: 4 года

Условие работы: Внутренний совместитель

Трудовой договор: с 09/01/2018 по 06/30/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: оптотехника; Квалификация: магистр;
  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: физика и астрономия; Квалификация: Исследователь.Преподаватель-исследователь;

Список трудов:

  1. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе. Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. № 2. С. 229-233. [Тип: Статья, Год: 2018]
  2. Growth and optical characterization of 7.5 um quantum cascade laser heterostructures grown by MBE [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  3. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 4. С. 95-102. [Тип: Статья, Год: 2018]
  4. Квантово-каскадные лазеры среднего ИК-диапазона: изготовление, диагностика и приборные характеристики [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  5. Разработка программы для расчета спектральных зависимостей коэффициента отражения полупроводниковых структур и отклонения параметров выращенной структуры от предварительного дизайна [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  6. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 9. pp. 1156-1159. [Тип: Статья, Год: 2018]
  7. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 170. [Тип: Статья, Год: 2018]
  8. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  9. Photoluminescence efficiency of 1550 nm quantum well heterostructures with delta-doping barriers [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  10. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 2. pp. 174-177. [Тип: Статья, Год: 2018]
  11. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 6. pp. 745-749. [Тип: Статья, Год: 2018]
  12. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them. Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 2. pp. 238-242. [Тип: Статья, Год: 2018]
  13. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 9. С. 1034-1037. [Тип: Статья, Год: 2018]
  14. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 6. С. 597-602. [Тип: Статья, Год: 2018]
  15. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 8. pp. 1082-1085. [Тип: Статья, Год: 2018]
  16. Управление высотой барьера Шоттки на контакте графен/широкозонный полупроводник [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  17. Рочас С.С., Шарипо К.Д., Колодезный Е.С., Козырева О.А., Егоров А.Ю. Разработка гетероструктуры резонансного P-I-N фотоприемника спектрального диапазона 840–860 НМ. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 272-274. [Тип: Статья, Год: 2017]
  18. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Ilynskaya N.D., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052021. [Тип: Статья, Год: 2017]
  19. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 929. No. 1. pp. 012082. [Тип: Статья, Год: 2017]
  20. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 7. pp. 666-669. [Тип: Статья, Год: 2017]
  21. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 194-197. [Тип: Статья, Год: 2017]
  22. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion. AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1874. pp. 040019. [Тип: Статья, Год: 2017]
  23. Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052029. [Тип: Статья, Год: 2017]
  24. Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод, излучающий на длине волны 1550 нм, для оптического аналого-цифрового преобразователя [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  25. Исследование оптических свойств легированных квантовых ям InGaAs спектрального диапазона 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  26. Гетероструктура для двух-частотного квантово-каскадного лазера [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  27. Бесфосфорные лазеры с пассивной синхронизацией мод, излучающие на длине волны 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  28. Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод на основе напряженных гетероструктур, излучающих на длине волны 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  29. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  30. Гетероструктура резонансного p-i-n фотоприемника спектрального диапазона 850 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  31. Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  32. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1412–1415. [Тип: Статья, Год: 2016]
  33. Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  34. Структурные и оптические свойства упругонапряженных InGAs квантовых ям спектральног диапазона 1520-1580 нм [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  35. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1429-1433. [Тип: Статья, Год: 2016]
  36. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 76-81. [Тип: Статья, Год: 2016]
  37. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций. Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 302-306. [Тип: Статья, Год: 2016]
  38. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 71-75. [Тип: Статья, Год: 2016]
  39. High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  40. Призматические дислокацинные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых нанострутурах [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  41. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  42. Призматические дислокационные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых наноструктурах [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  43. Способы оптимизации волноводов квантово-каскадного лазера средней инфракрасной области спектра излучения [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  44. Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  45. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 3. pp. 284-288. [Тип: Статья, Год: 2015]
  46. Тепловое обеспечение люминофорсодержащих слоев мощных светодиодов [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  47. Тепловое обеспечение мощных светодиодов, использующихся в промышленном освещении [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  48. Heat management of phosphor layers with various matrices in high power LEDs [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  49. Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 24. № 2. С. 194-200. [Тип: Статья, Год: 2015]
  50. Thermal analysis of phosphor containing layers for light emitting dioes [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  51. Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 3. pp. 283-287. [Тип: Статья, Год: 2014]
  52. Исследование эффективности ультрафиолетовых светоизлучающих структур на основе AlGaN [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  53. Ультрафиолетовые светоизлучающие диоды на основе твердых растворов AlGaN, созданные методом CHVPE [Тип: Тезисы, Год: 2013]