• Главная
  • Колодезный Евгений Сергеевич

Колодезный Евгений Сергеевич

Должность: ассистент (квалификационная категория ассистент)

Кафедра: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Уч. степень: кандидат физико-математических наук

Стаж: 5 лет

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2019 по 08/31/2022

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: оптотехника; Квалификация: магистр;
  • Диплом об окончании аспирантуры (послевузовское); Специальность: физика и астрономия; Квалификация: Исследователь.Преподаватель-исследователь;

Повышение квалификации:

№ п/п
Тип
Название
Год
Описание
Страна
Город
1
Онлайн курс
3.46.2x: Photonic Integrated Circuits 1
2019
США
2
Повышение квалификации
ФГОС высшего образования: проектирование и организация учебного процесса
2019
Российская Федерация
3
Курсы повышения квалификации на базе НИУ ИТМО
Учебно-методическое обеспечение образовательного процесса в электронной информационно-образовательной среде университета
2018
Российская Федерация
Санкт-Петербург

Список трудов:

  1. Бабичев А.В., Дюделев В.В., Гладышев А.Г., Михайлов Д.А., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Неведомский В.Н., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Соколовский Г.С., Егоров А.Ю. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 µm. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 14. С. 48-51. [Тип: Статья, Год: 2019]
  2. Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Дюделев В.В., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 8. С. 31-33. [Тип: Статья, Год: 2019]
  3. Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1236. No. 1. pp. 012071. [Тип: Статья, Год: 2019]
  4. Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 549–552. [Тип: Статья, Год: 2019]
  5. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Nevedomskii V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Egorov A.Y. Spontaneous Emission and Lasing of a Two-Wavelength Quantum-Cascade Laser. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 3. pp. 345-349. [Тип: Статья, Год: 2019]
  6. Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 7. pp. 735-738. [Тип: Статья, Год: 2019]
  7. Влияние конструкции активной области на излучательные параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  8. Kolodeznyi E.C., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm-Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 788. [Тип: Статья, Год: 2019]
  9. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 8. pp. 1104-1109. [Тип: Статья, Год: 2019]
  10. High performance wafer fused 1550 nm VCSELs [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  11. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 1. pp. 140-144. [Тип: Статья, Год: 2019]
  12. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Single-Mode Arched-Cavity Quantum-Cascade Lasers. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 4. pp. 398-400. [Тип: Статья, Год: 2019]
  13. GaAs and InP wafer fusion for VCSEL fabrication [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  14. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  15. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them. Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 2. pp. 238-242. [Тип: Статья, Год: 2018]
  16. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе. Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. № 2. С. 229-233. [Тип: Статья, Год: 2018]
  17. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 4. С. 95-102. [Тип: Статья, Год: 2018]
  18. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 170. [Тип: Статья, Год: 2018]
  19. Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 954-957. [Тип: Статья, Год: 2018]
  20. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 6. С. 597-602. [Тип: Статья, Год: 2018]
  21. Photoluminescence efficiency of 1550 nm quantum well heterostructures with delta-doping barriers [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  22. Разработка программы для расчета спектральных зависимостей коэффициента отражения полупроводниковых структур и отклонения параметров выращенной структуры от предварительного дизайна [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  23. Влияние легирования барьерных слоёв на эффективность фотолюминесценции квантовых ям спектрального диапазона 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  24. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 9. pp. 1156-1159. [Тип: Статья, Год: 2018]
  25. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 2. pp. 174-177. [Тип: Статья, Год: 2018]
  26. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ P-I-N ФОТОПРИЕМНИК ДЛЯ ПЕРВОГО ОКНА ПРОЗРАЧНОСТИ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  27. High-speed Fiber-coupled InGaAs/InP Photodetector for С- and L- optical Wavelength Transmission Bands [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  28. Graphene barristor based on ?-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  29. Growth and optical characterization of 7.5 um quantum cascade laser heterostructures grown by MBE [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  30. Квантово-каскадные лазеры среднего ИК-диапазона: изготовление, диагностика и приборные характеристики [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  31. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  32. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 9. С. 1034-1037. [Тип: Статья, Год: 2018]
  33. Babichev A.V., Gladyshev A.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Growth and optical characterization of 7.5 ?m quantum-cascade laser heterostructures grown by MBE. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041029. [Тип: Статья, Год: 2018]
  34. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 8. pp. 1082-1085. [Тип: Статья, Год: 2018]
  35. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Erratum to: Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 4. pp. 599. [Тип: Статья, Год: 2018]
  36. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of mid-IR spectral range: Epitaxy, diagnostics and device characteristics. EPJ Web of Conferences. 2018. Vol. 195. pp. 04001. [Тип: Статья, Год: 2018]
  37. ОПТИМИЗАЦИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА, ИЗЛУЧАЮЩЕГО В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1530-1565 НМ [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  38. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 6. pp. 745-749. [Тип: Статья, Год: 2018]
  39. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 7. pp. 666-669. [Тип: Статья, Год: 2017]
  40. Управление высотой барьера Шоттки на контакте графен/широкозонный полупроводник [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  41. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Ilynskaya N.D., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052021. [Тип: Статья, Год: 2017]
  42. Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052029. [Тип: Статья, Год: 2017]
  43. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion. AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1874. pp. 040019. [Тип: Статья, Год: 2017]
  44. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 194-197. [Тип: Статья, Год: 2017]
  45. Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Филимонов А.В., Неведомский В.Н., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 РШ. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 14. С. 64-71. [Тип: Статья, Год: 2017]
  46. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  47. Гетероструктура резонансного p-i-n фотоприемника спектрального диапазона 850 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  48. Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод, излучающий на длине волны 1550 нм, для оптического аналого-цифрового преобразователя [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  49. Рочас С.С., Шарипо К.Д., Колодезный Е.С., Козырева О.А., Егоров А.Ю. Разработка гетероструктуры резонансного P-I-N фотоприемника спектрального диапазона 840–860 НМ. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 272-274. [Тип: Статья, Год: 2017]
  50. Исследование оптических свойств легированных квантовых ям InGaAs спектрального диапазона 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  51. Гетероструктура для двух-частотного квантово-каскадного лазера [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  52. Бесфосфорные лазеры с пассивной синхронизацией мод, излучающие на длине волны 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  53. Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод на основе напряженных гетероструктур, излучающих на длине волны 1550 нм [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  54. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 929. No. 1. pp. 012082. [Тип: Статья, Год: 2017]
  55. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  56. Призматические дислокацинные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых нанострутурах [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  57. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1412–1415. [Тип: Статья, Год: 2016]
  58. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций. Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 302-306. [Тип: Статья, Год: 2016]
  59. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 71-75. [Тип: Статья, Год: 2016]
  60. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 76-81. [Тип: Статья, Год: 2016]
  61. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1429-1433. [Тип: Статья, Год: 2016]
  62. Призматические дислокационные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых наноструктурах [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  63. High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  64. Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  65. Структурные и оптические свойства упругонапряженных InGAs квантовых ям спектральног диапазона 1520-1580 нм [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  66. Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  67. Способы оптимизации волноводов квантово-каскадного лазера средней инфракрасной области спектра излучения [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  68. Heat management of phosphor layers with various matrices in high power LEDs [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  69. Тепловое обеспечение люминофорсодержащих слоев мощных светодиодов [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  70. Тепловое обеспечение мощных светодиодов, использующихся в промышленном освещении [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  71. Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 24. № 2. С. 194-200. [Тип: Статья, Год: 2015]
  72. Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  73. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 3. pp. 284-288. [Тип: Статья, Год: 2015]
  74. Thermal analysis of phosphor containing layers for light emitting dioes [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  75. Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 3. pp. 283-287. [Тип: Статья, Год: 2014]
  76. Исследование эффективности ультрафиолетовых светоизлучающих структур на основе AlGaN [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  77. Ультрафиолетовые светоизлучающие диоды на основе твердых растворов AlGaN, созданные методом CHVPE [Тип: Тезисы, Год: 2013]