Головатенко Александр Анатольевич

Должность: ассистент

Кафедра: кафедра современных функциональных материалов

Стаж: 4 года

Условие работы: Внешний совместитель

Трудовой договор: с 09/01/2016 по 06/30/2017

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (первое высшее); Специальность: электроника и микроэл-ка; Квалификация: магистр т и т;

Список трудов:

  1. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 7. С. 997-1000. [Тип: Статья, Год: 2016]
  2. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 7. pp. 980-983. [Тип: Статья, Год: 2016]
  3. ELASTIC PROPERTIES AND LOAD-STRAIN CURVES OF beta-Ga2O3 SINGLE CRYSTALS [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  4. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 22. No. 1. pp. 59-63. [Тип: Статья, Год: 2015]
  5. Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 22. № 1. С. 53-58. [Тип: Статья, Год: 2015]
  6. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 3. pp. 350-353. [Тип: Статья, Год: 2014]
  7. Liu F., Rodina A.V., Yakovlev D.R., Greilich A., Golovatenko A.A., Susha A.S., Rogach A.L., Kusrayev Y.G., Bayer M. Exciton spin dynamics of colloidal CdTe nanocrystals in magnetic fields. Physical Review B. 2014. Vol. 89. No. 11. pp. 115306. [Тип: Статья, Год: 2014]
  8. Маслов В.Н., Крымов В.М., Блашенков М.Н., Головатенко А.А., Николаев В.И. Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 7. С. 56-61. [Тип: Статья, Год: 2014]
  9. Проводящие прозрачные оксиды [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2014]
  10. Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2014. Vol. 11. No. 3-4. pp. 502-504. [Тип: Статья, Год: 2014]
  11. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 11. С. 1573-1577. [Тип: Статья, Год: 2014]
  12. Maslov V.N., Krymov V.M., Блашенков М.Н., Блашенков Н.М., Golovatenko A.A., Nikolaev V.I. Beta-Ga2O3 crystal growing from its own melt. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 4. pp. 303-305. [Тип: Статья, Год: 2014]
  13. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 11. pp. 1535-1538. [Тип: Статья, Год: 2014]
  14. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 364-368. [Тип: Статья, Год: 2014]
  15. Взаимная диффузия компонентов подложки и эпитаксиальных слоев при хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на кремнии [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  16. Рост толстых слоев GaN на наноструктурированных темплейтах и оптимизация их самоотделения [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  17. Influence of Nanocolumns Properties on Self-Separation Process of Thick GaN Layers Grown by HVPE [Тип: Тезисы, Год: 2013]