Бугров Владислав Евгеньевич

Должность: заведующий кафедрой

Кафедра: кафедра световых технологий и оптоэлектроники

Уч. степень: доктор физико-математических наук

Звание: доцент

Стаж: 21 год

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 09/01/2016 по 03/01/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (первое высшее); Специальность: оптические приборы и системы; Квалификация: инженер-оптик;

Наименование направления подготовки и (или) специальности:

Преподаваемые дисциплины:

  • Оптоэлектроника светодиодов
  • Колориметрия светодиодного излучения
  • Элементы теории твердого тела и кристаллографии

Список трудов:

  1. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures. Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 85. pp. 246-250. [Тип: Статья, Год: 2017]
  2. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 2. pp. 239-244. [Тип: Статья, Год: 2017]
  3. Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals. Journal of Crystal Growth. 2017. Vol. 457. pp. 132–136. [Тип: Статья, Год: 2017]
  4. Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3 [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  5. Управление высотой барьера Шоттки на контакте графен/широкозонный полупроводник [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  6. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  7. Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  8. High-speed 1.3-1.55 um PIN photodetector based on InGaAs/InP heterostructure for microwave photonics [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  9. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Смирнов А.Н., Кириленко Д.А., Рауфов С.Ч., Ситникова А.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Романов А.Е. Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках [Optical properties of thick GaN layers grown with hydride vapor-phase epitaxy on structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Т. 29. № 1. С. 24-31. [Тип: Статья, Год: 2016]
  10. Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов [Тип: Монография, Год: 2016]
  11. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1412–1415. [Тип: Статья, Год: 2016]
  12. Bakholdin A.V., Bougrov V.E., Voznesenskaya A.O., Ezhova K.V. Advanced interdisciplinary undergraduate program: light engineering. Proceedings of SPIE. 2016. Vol. 9946. pp. 994612. [Тип: Статья, Год: 2016]
  13. Rybalko D.A., Polukhin I.S., Solov'Ev Y.V., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E. Model of mode-locked quantum-well semiconductor laser based on InGaAs/InGaAlAs/InP heterostructure. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012079. [Тип: Статья, Год: 2016]
  14. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций. Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 302-306. [Тип: Статья, Год: 2016]
  15. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36. [Тип: Статья, Год: 2016]
  16. Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х.К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055. [Тип: Статья, Год: 2016]
  17. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 71-75. [Тип: Статья, Год: 2016]
  18. Shirshneva-Vashchenko E.V., Sosnin I.M., Nuryev R.K., Gladskikh I.A., Liashenko T.G., Bougrov V.E., Romanov A.E. Electrical and optical properties of transparent conducting ZnO:Al/AgNP multilayer films. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 2. pp. 145-149. [Тип: Статья, Год: 2016]
  19. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E. Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on ingaalas/ingaas/inp heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 27. No. 1. pp. 74-78. [Тип: Статья, Год: 2016]
  20. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 7. С. 997-1000. [Тип: Статья, Год: 2016]
  21. Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 4. С. 549-552. [Тип: Статья, Год: 2016]
  22. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1429-1433. [Тип: Статья, Год: 2016]
  23. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 7. pp. 980-983. [Тип: Статья, Год: 2016]
  24. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 5. pp. 612-615. [Тип: Статья, Год: 2016]
  25. Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 4. pp. 541-544. [Тип: Статья, Год: 2016]
  26. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2016. Vol. 47. pp. 16-19. [Тип: Статья, Год: 2016]
  27. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 624-627. [Тип: Статья, Год: 2016]
  28. Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х.К., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P). Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 1(101). С. 76-84. [Тип: Статья, Год: 2016]
  29. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review. Reviews on Advanced Materials Science. 2016. Vol. 44. No. 1. pp. 63-86. [Тип: Статья, Год: 2016]
  30. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E. HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates. Key Engineering Materials (Book Series). 2016. Vol. 674. pp. 302-307. [Тип: Статья, Год: 2016]
  31. Smirnov A.M., Young E.C., Bougrov V.E., Speck J.S., Romanov A.E. Critical thickness for the formation of misfit dislocations originating from prismatic slip in semipolar and nonpolar III-nitride heterostructures. APL Materials. 2016. Vol. 4. No. 1. pp. 016105. [Тип: Статья, Год: 2016]
  32. High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  33. Релаксация напряжений несоответствия путем призматического скольжения дислокаций несоответствия в III-нитридных структурах [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  34. Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  35. Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  36. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций [Тип: Тезисы, Год: 2016]
  37. Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2016]
  38. Voznesenskaya A., Bougrov Vladislav ., Kozlov S., Vasilev V. ITMO Photonics: center of excellence. Proceedings of SPIE. 2016. Vol. 9946. pp. 99460V. [Тип: Статья, Год: 2016]
  39. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 11. pp. 1522-1526. [Тип: Статья, Год: 2015]
  40. Лекции по классической электродинамике [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2015]
  41. Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 11. pp. 1041-1043. [Тип: Статья, Год: 2015]
  42. Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2015. Vol. 212. No. 12. pp. 2964-2967. [Тип: Статья, Год: 2015]
  43. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 22. № 1. С. 30-38. [Тип: Статья, Год: 2015]
  44. Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E. Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 7. pp. 1342-1346. [Тип: Статья, Год: 2015]
  45. Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 21. С. 38-44. [Тип: Статья, Год: 2015]
  46. Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2015. Т. 15. № 2(96). С. 202-210. [Тип: Статья, Год: 2015]
  47. Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 7. С. 1315-1319. [Тип: Статья, Год: 2015]
  48. Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Modeling of Threading Dislocation Density Reduction in Porous III-Nitride Layers. Journal of Electronic Materials. 2015. Vol. 44. No. 5. pp. 1287-1292. [Тип: Статья, Год: 2015]
  49. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 22. No. 1. pp. 59-63. [Тип: Статья, Год: 2015]
  50. Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 22. № 1. С. 53-58. [Тип: Статья, Год: 2015]
  51. Romanov A.E., Kolesnikova A.N., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z. Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene. Carbon. 2015. Vol. 81. pp. 223-231. [Тип: Статья, Год: 2015]
  52. Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 24. № 2. С. 194-200. [Тип: Статья, Год: 2015]
  53. Критические условия формирования дислокаций несоответствия путем призматического скольжения в плуполярных и неполярных III-нитридных гетероструктурах [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  54. ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  55. GaN growth on (100) beta-Ga2O3 substrates by HVPE [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  56. beta-Ga2O3 crystals grown from Ga2O3-Al2O3 melt [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  57. Modeling misfit stress relaxation via non-basal dilocation in III-nitride semipolar layered structures [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  58. New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  59. Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  60. Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  61. HEAT MANAGEMENT OF PHOSPHOR LAYERS WITH VARIOUS MATRICES IN HIGH POWER LEDs [Тип: Тезисы, Год: 2015]
  62. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1569-1573. [Тип: Статья, Год: 2015]
  63. Артемьев Д.М., Орлова Т.С., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Реакционно- кинетическая модель уменьшения плотности проникающих дислокаций в пористом слое GaN. XXI Петербургские чтения по проблемам прочности. К 100-летию со дня рождения Л.М.Качанова и Ю.Н. Работнова. 2014. С. 98-100. [Тип: Статья, Год: 2014]
  64. Асеев В.А., Тузова Ю.В., Бибик А.Ю., Колобкова Е.В., Некрасова Я.А., Никоноров Н.В., Кистанкина М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Неорганический композит "стекло-люминофор" на основе высокопреломляющей свинцово-силикатной матрицы для белых светодиодов [Inorganic composite «phosphor in glass» based on highly refractive LED-silicate matrix for white LEDs]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Т. 21. № 3. С. 242-247. [Тип: Статья, Год: 2014]
  65. Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 3. pp. 283-287. [Тип: Статья, Год: 2014]
  66. Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2014. № 6(94). С. 71-76. [Тип: Статья, Год: 2014]
  67. Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 655-658. [Тип: Статья, Год: 2014]
  68. Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2014. Vol. 11. No. 3-4. pp. 502-504. [Тип: Статья, Год: 2014]
  69. Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication" [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  70. Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer. AIP Conference Proceedings. 2014. Vol. 1583. pp. 310-314. [Тип: Статья, Год: 2014]
  71. Romanov A.E., Kolesnikova A.L., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z. Non-equilibrium grain boundaries with exess energy in graphene Disclination modeling of grain boundaries in graphene. Acta Materialia. 2014. [Тип: Статья, Год: 2014]
  72. Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 683-686. [Тип: Статья, Год: 2014]
  73. New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  74. Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication" [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  75. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD". Ученые записки физического факультета МГУ. 2014. № 2. С. 142402(1-5). [Тип: Статья, Год: 2014]
  76. "Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах" [Тип: Автореферат, Год: 2013]
  77. Lipnitckaia S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L.A., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Design optimization of light emitting diode module «chip-on- board» for light extraction increase. Conference Proceedings - 12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, LFNM 2013. 2013. pp. 6644845. [Тип: Статья, Год: 2013]
  78. Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices. Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. No. 12. pp. 1074-1077. [Тип: Статья, Год: 2013]
  79. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 18. № 2. С. 135-142. [Тип: Статья, Год: 2013]
  80. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 18. No. 2. pp. 143–147. [Тип: Статья, Год: 2013]
  81. Artemiev D., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Mechanical stress control in GaN films on sapphire substrate via patterned nanocolumn interlayer formation. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2013. Vol. 10. No. 1. pp. 89-92. [Тип: Статья, Год: 2013]
  82. Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2013. Т. 56. № 11. С. 87-91. [Тип: Статья, Год: 2013]
  83. Ивукин И.Н., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Шалковский А.Г., Романов А.Е. Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп [Heat transfer simulation and retrofit led lamp plastic heat sink material optimization]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 17. № 2. С. 178-182. [Тип: Статья, Год: 2013]
  84. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 17. No. 2. pp. 111-120. [Тип: Статья, Год: 2013]
  85. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD". Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 12. С. 45-52. [Тип: Статья, Год: 2013]
  86. Ивукин И.Н., Белов А.Ю., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Оптимизация радиатора ретрофитной светодиодной лампы. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2013. Т. 56. № 11. С. 83-87. [Тип: Статья, Год: 2013]
  87. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах. Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 24. С. 1-8. [Тип: Статья, Год: 2013]
  88. "Пути увеличения эффективности мощных светодиодных сборок "чип на плате" [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  89. LED influence on human eyes [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  90. Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  91. Исследование радиаторов из теплопроводящих пластиков для ретрофитных светодиодных устройств [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  92. Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах, [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  93. Уменьшение остаточных механических напряжений в подложках GaN/сапфир за счет формирования промежуточного слоя наноколонок [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  94. Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  95. Influence of Nanocolumns Properties on Self-Separation Process of Thick GaN Layers Grown by HVPE [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  96. Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  97. Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  98. Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  99. Исследование теплообмена в тонких слоях люминофора светодиодных модулей [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  100. Новая образовательная программа в области твердотельного освещения [Тип: Тезисы, Год: 2013]
  101. Оптоэлектроника светодиодов. Учебное пособие [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2013]
  102. Оптоэлектроника светодиодов. Лабораторный практикум [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2013]
  103. Физические основы светодиодной техники [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2013]
  104. Ali M., Svensk O., Riuttanen L., Kruse M., Suihkonen S., Romanov A.E., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning. Semiconductor Science and Technology. 2012. Vol. 27. No. 8. pp. 082002. [Тип: Статья, Год: 2012]
  105. Ivukin I.N., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Reduction of mechanical stresses in GaN/sapphire templates via formation of regular porous structure. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2012. Vol. 9. No. 3-4. pp. 1057-1059. [Тип: Статья, Год: 2012]
  106. Суслов С.С., Виноградова К.А., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов [Parametric modeling of light emitting structures based on III-nitrides]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2012. Т. 14. № 1. С. 78-86. [Тип: Статья, Год: 2012]
  107. Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Романов А.Е., Ивукин И.Н., Одноблюдов М.А. Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках. Физика твердого тела. 2012. Т. 54. № 12. С. 2294-2297. [Тип: Статья, Год: 2012]
  108. Суслов С.С., Бугров В.Е., Романов А.Е., Одноблюдов М.А. Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs. Physica Status Solidi. 2012. Vol. 9. No. 3-4. pp. 1105–1108. [Тип: Статья, Год: 2012]
  109. Ivukin I.N., Artem'Ev D.M., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Simulation of a stress-strain state in thin structured gallium nitride films on sapphire substrates. Physics of the solid state. 2012. Vol. 54. No. 12. pp. 2421-2424. [Тип: Статья, Год: 2012]
  110. Бугров В.Е., Николаев В., Одноблюдов М., Романов А., Ковш А. Романов Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии. Полупроводниковая Светотехника. 2011. № 5. С. 30-33. [Тип: Статья, Год: 2011]
  111. Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Ковш А.Р., Бугров В.Е., Николаев В.И. Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии. Полупроводниковая светотехника. 2011. Т. 5. № 13. С. 34-37. [Тип: Статья, Год: 2011]
  112. Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H.K., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN. Journal of Crystal Growth. 2011. Vol. 315. No. 1. pp. 188-191. [Тип: Статья, Год: 2011]
  113. Torma P., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H.K., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates. CrystEngComm. 2010. Vol. 12. No. 10. pp. 3152-3156. [Тип: Статья, Год: 2010]
  114. Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. High quality GaN substrates for modern LED technology. LED Professional Review. 2010. Vol. 18. pp. 42-49. [Тип: Статья, Год: 2010]