Лапушкин Михаил Николаевич

Должность: преподаватель

Кафедра: физико-технический факультет

Уч. степень: кандидат физико-математических наук

Звание: доцент

Стаж: 37 лет

Условие работы: Внешний совместитель

Трудовой договор: с 09/03/2018 по 01/31/2019

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (высшее профессиональное); Специальность: физика; Квалификация: физик;

Наименование направления подготовки и (или) специальности:

Преподаваемые дисциплины:

  • Дополнительные главы физики
  • Волновые процессы в средах

Список трудов:

  1. Benemanskaya G.V., Kukushkin S.A., Dement’Ev P.A., Lapushkin M.N., Timoshnev S.N., Smirnov D.V. Synchrotron-based photoemission study of electronic structure of the Cs/GaN ultrathin interface. Solid State Communications. 2018. Vol. 271. pp. 6-10. [Тип: Статья, Год: 2018]
  2. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4o и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 23. С. 51-57. [Тип: Статья, Год: 2016]
  3. Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 12. pp. 1145-1148. [Тип: Статья, Год: 2016]
  4. Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V. The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4A layer and Cs/SiC/Si(111)-4A interface. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1327-1332. [Тип: Статья, Год: 2016]
  5. Кузнецов Ю.А., Лапушкин М.Н., Потехина Н.Д. Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия из слоев цезия, адсорбированных на поверхности золота. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 12. С. 14-21. [Тип: Статья, Год: 2016]
  6. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Сеньковский Б.В., Тимошнев С.Н. Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111). Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 4. С. 465-469. [Тип: Статья, Год: 2016]
  7. Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Senkovskiy B.V., Timoshnev S.N. Induced surface states of the ultrathin Ba/3C-SiC(111) interface. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 4. pp. 457-461. [Тип: Статья, Год: 2016]
  8. Кнатько М.В., Лапушкин М.Н. Пороговые процессы эмиссии ионов натрия из поверхностного сплава NaAu. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 8. С. 43-49. [Тип: Статья, Год: 2015]
  9. Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V., Timoshnev S.N. Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 22. No. 2. pp. 183-190. [Тип: Статья, Год: 2015]
  10. Бенеманская Г.В., Давыдов В.Ю., Жмерик В.Н., Лапушкин М.Н., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования ультратонких интерфейсов Cs, Ba/InN. Известия РАН. Серия Физическая.. 2012. Т. 76. № 3. С. 395-397. [Тип: Статья, Год: 2012]
  11. Лапушкин М.Н. 2D квази переход металл-изолятор на границах раздела Cs/n-GaN и Ва/n-GaN. Труды международного междисциплинарного симпозиума МФГП-1: Физика межфазных границ и фазовые переходы. 2011. С. 39-42. [Тип: Статья, Год: 2011]
  12. Бенеманская Г.В., Тимошнев С.Н., Лапушкин М.Н., Франк-Каменцкая Г.Э. 2D-вырожденный электронный газ на границах раздела Ва/n-AlGaN и Ва/n-GaN. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2011. Т. 75. № 5. С. 632-635. [Тип: Статья, Год: 2011]
  13. Лапушкин М.Н. Фотоэмиссионные исследования ультратонких интерфейсов Cs, Ba/InN. Труды международного междисциплинарного симпозиума МФГП-1: Физика межфазных границ и фазовые переходы. 2011. С. 95-97. [Тип: Статья, Год: 2011]
  14. Лапушкин М.Н. Влияние электрического поля на эмиссию ионов натрия из поверхностного сплава NaAu. Труды международного междисциплинарного симпозиума МФГП-1: Физика межфазных границ и фазовые переходы. 2011. С. 91-94. [Тип: Статья, Год: 2011]
  15. Лапушкин М.Н. Электронная структура границы раздела Ва/n-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа. Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". 2010. Т. 91. № 12. С. 739-742. [Тип: Статья, Год: 2010]
  16. Баженов А.Н., Булович С.В., Галль Л.Н., Кретинина А.В., Лапушкин М.Н., Галль Н.Р. Механизм молекулярной фрагментации и атомизации ионов в газодинамической транспортирующей ячейке. Письма в Журнал технической физики. 2010. Т. 36. № 7. С. 45-53. [Тип: Статья, Год: 2010]
  17. Лапушкин М.Н., Спиридонов А.А. Электронная структура квантовых точек InAs/GaAs, декорированных атомами Cs. Труды 2-го международного междисциплинарного симпозиума Физика низкоразмерных систем и поверхностей Low Dimensional Systems (LDS-2010). 2010. С. 161-163. [Тип: Статья, Год: 2010]
  18. Лапушкин М.Н. 2D-вырожденный электронный газ на границе раздела Ва/n-AlGaN(0001) и Ва/n-GaN(0001). Труды 2-го международного междисциплинарного симпозиума Физика низкоразмерных систем и поверхностей Low Dimensional Systems (LDS-2010) . 2010. С. 31-34. [Тип: Статья, Год: 2010]
  19. Лапушкин М.Н. Электронная структура границы раздела Ва/n-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа. Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". 2010. Т. 91. № 12. С. 739-742. [Тип: Статья, Год: 2010]
  20. Лапушкин М.Н. Электронная структура квантовых точек InAs/GaAs, декорированных атомами Cs. Труды 2-го международного междисциплинарного симпозиума «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» Low Dimensional Systems (LDS-2010). 2010. С. 161-163. [Тип: Статья, Год: 2010]
  21. Лапушкин М.Н. Surface states and accumulation nanolayer induced by Ba and Cs adsorption on the n-GaN(0001) surface. Surface Science. 2009. Vol. 603. pp. 2474-2478. [Тип: Статья, Год: 2009]
  22. Лапушкин М.Н. Аккумуляционный нанослой --- 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN. Физика твердого тела. 2009. Т. 51. № 2. С. ?. [Тип: Статья, Год: 2009]
  23. Лапушкин М.Н. Каталитические реакции на поверхности нанопленки NaAu при адсорбции тетраметилтетразена. Наноматериалы: Сборник докладов Харьковской нанотехнологической ассамблеи-2008. 2008. С. 94-96. [Тип: Статья, Год: 2008]
  24. Лапушкин М.Н. Пленки и наноструктуры соединений щелочных металлов с золотом: формирование, свойства и перспективы. Физика электронных материалов. Материалы 3-й Международной конференции. 2008. С. 88-190. [Тип: Статья, Год: 2008]
  25. Лапушкин М.Н. Формирование пленочного катализатора при адсорбции атомов натрия на поверхности нагретого золота. Труды 1-го международного междисциплинарного симпозиума «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» Low Dimensional Systems (LDS-2008). 2008. С. 172-174. [Тип: Статья, Год: 2008]
  26. Лапушкин М.Н. 2D электронные каналы – аккумуляционные слои на поверхности III-нитридов n-GaN и n-InGaN. Нанотехника. 2007. Т. 4. С. 33-40. [Тип: Статья, Год: 2007]
  27. Лапушкин М.Н. Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/n-GaN(0001): электронные и фотоэмиссионные свойства. Физика твердого тела. 2007. Т. 49. № 4. С. 613-617. [Тип: Статья, Год: 2007]
  28. Лапушкин М.Н.  Наноструктуры на основе сплавов золота со щелочными металлами. Харьковская нанотехнологическая Ассамблея-2007. 2007. С. 17-22. [Тип: Статья, Год: 2007]
  29. Лапушкин М.Н. Charge accumulation in ultrathin Cs/n-GaN and Cs/n-InGaN interfaces. Solid State Communnication. 2007. Т. 143. № 10. С. 476-480. [Тип: Статья, Год: 2007]