Григорьев Борис Иванович

Должность: тьютор

Кафедра: кафедра сенсорики

Уч. степень: кандидат технических наук

Звание: старший научный сотрудник

Стаж: 50 лет

Условие работы: Основное место работы

Трудовой договор: с 07/01/2016 по 08/31/2016

Образование:

  • Диплом о высшем образовании (первое высшее); Специальность: полупроводники и диэлектрики; Квалификация: инженер-электрик;

Список трудов:

  1. Григорьев Б.И. Стационарные режимы усиления силовых биполярных транзисторных модулей. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2016. Т. 59. № 4. С. 294-299. [Тип: Статья, Год: 2016]
  2. Григорьев Б.И. Коэффициент усиления по току составного биполярного транзистора с дополнительной симметрией. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2016. Т. 59. № 4. С. 328-330. [Тип: Статья, Год: 2016]
  3. Григорьев Б.И. Состояние и перспективы развития теории силовых биполярных транзисторов. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2016. Т. 59. № 2. С. 95-106. [Тип: Статья, Год: 2016]
  4. Григорьев Б.И. Стационарные режимы усиления биполярных транзисторов. Известия высших учебных заведений. Приборостроение. 2015. Т. 58. № 5. С. 372-379. [Тип: Статья, Год: 2015]
  5. Статические характеристики параллельных соединений п-канальных ПТИЗ с индуцированным каналом //XLIII научная и учебно-методическая конференция// [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  6. Статические характеристики параллельных соединений п-канальных ПТУП //XLIII научная и учебно-методическая конференция// [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  7. Статические характеристики силовых биполярных транзисторов \\XLIII научная и учебно-методическая конференция \\ [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  8. Статические характеристики составных силовых биполярных транзисторов //XLIII научная и учебно-методическая конференция// [Тип: Тезисы, Год: 2014]
  9. Элемнтная база и устройства цифровой техники [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2012]
  10. Приборы для измерения динамических параметров полевых транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 2012]
  11. Элементная база и устройства цифровой техники [Тип: Тезисы, Год: 2012]
  12. Григорьев Б.И. Моделирование импульсных DC-DC преобразователей посредством программы Electronics Workbench 4.0. Избранные труды XXXIX научной и учебно-методической конференции СПбГУ ИТМО:сборник научных трудов.- СПбГУ ИТМО,2010. 2010. С. 48-51. [Тип: Статья, Год: 2010]
  13. Григорьев Б.И. Моделирование импульсных DC-DC преобразователей посредством программы Electronics Workbench 4.0. Избранные труды XXXIX научной и учебно-методической конференции СПбГУ ИТМО:сборник научных трудов.- СПбГУ ИТМО,2010. 2010. С. 48-51. [Тип: Статья, Год: 2010]
  14. Лабораторный практикум по устройствам аналоговой электроники в рамках программы Multisim [Тип: Тезисы, Год: 2009]
  15. Граничные режимы работы полевых транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 2009]
  16. Устройство для измерения динамических параметров сверхмощных биполярных и полевых транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 2009]
  17. Элементная база и устройства аналоговой электроники [Тип: Учебник, учебное пособие, Год: 2008]
  18. Григорьев Б.И. Опыт использования виртуального лабораторного практикума по дисциплине "Электроника и микропроцессорная техника". 2007. № 4. С. 100-101. [Тип: Статья, Год: 2007]
  19. Моделирование лабораторного практикума по курсу "Электроника" [Тип: Тезисы, Год: 2005]
  20. Виртуальная лабораторная работа "Исследование базовых усилительных каскадов" [Тип: Тезисы, Год: 2004]
  21. Виртуальная лабораторная работа "Исследование выпрямительных схем и схем ограничения напряжения" [Тип: Тезисы, Год: 2004]
  22. Виотуальная бабораторная работа "Исследование характеристик биполярных транзисторов" [Тип: Тезисы, Год: 2004]
  23. Виртуальная лабораторная работа "Исследование операционных усилителей" [Тип: Тезисы, Год: 2004]
  24. Особенности работы биполярных транзисторов в режимах лавинного пробоя [Тип: Тезисы, Год: 2003]
  25. Моделирование переходных процессов в силовых составных высоковольтных транзисторах [Тип: Тезисы, Год: 2002]
  26. Перспективы использования фотонно-инжекционных транзисторов в базовых усилительных каскадах [Тип: Тезисы, Год: 2002]
  27. Физические аспекты изменения Характеристик транзисторов под воздействием частиц высоких энергий [Тип: Тезисы, Год: 2002]
  28. Классификатор силовых транзисторов по значениям пробивных напряжений и токов утечки [Тип: Тезисы, Год: 2000]
  29. Григорьев Б.И. Определение толщины коллектора силового высоковольтного транзистора. 2000. Т. 43. № 1-2. С. 89-91. [Тип: Статья, Год: 2000]
  30. Универсальный прибор для измерения динамических и электрофизических параметров силовых высоковольтных транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 2000]
  31. Прибор для контроля силовых транзисторов по значениям коэффициентов усиления и напряжения насыщения [Тип: Тезисы, Год: 2000]
  32. Григорьев Б.И. Граничные коэффициенты усиления по току силового высоковольтного транзистора. 2000. Т. 43. № 4. С. 35-39. [Тип: Статья, Год: 2000]
  33. Физические основы работы силовых высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 1999]
  34. О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров [Тип: Тезисы, Год: 1999]
  35. Физические основы работы силовых высоковольтных фотонно-инжекционных импульсных тиристоров [Тип: Тезисы, Год: 1999]
  36. Переходные процессы в силовых высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах [Тип: Тезисы, Год: 1999]
  37. Предельные возможности усиления тока высоковольтными одиночными и составными транзисторами на оснсве кремния и арсенида галлия [Тип: Тезисы, Год: 1989]
  38. Григорьев Б.И. О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров на основе гетероструктуры. 1989. Т. 59. № 2. С. 156-158. [Тип: Статья, Год: 1989]
  39. Григорьев Б.И. Высоковольтный фотонно-инжекционный импульсный тиристор на основе многослойной гетероструктуры. 1989. С. 46-51. [Тип: Статья, Год: 1989]
  40. Григорьев Б.И. Процесс рассасывания при выключении силового высоковольтного диодно-транзисторного ключа импульсного преобразователя. 1988. Т. 31. № 8. С. 61-67. [Тип: Статья, Год: 1988]
  41. Григорьев Б.И. Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры. 1988. Т. 22. № 3. С. 413-418. [Тип: Статья, Год: 1988]
  42. Григорьев Б.И. Напряжение насыщения и коэффициент усиления по току гетеротранзисторов с варизонным коллектором. 1987. Т. 21. № 1. С. 134-139. [Тип: Статья, Год: 1987]
  43. Григорьев Б.И. Исследование р-п- и р-п-р-п-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия. 1987. Т. 13. № 20. С. 1270-1274. [Тип: Статья, Год: 1987]
  44. Григорьев Б.И. Сопротивление немодулированного коллектора высоковольтного транзистора. 1987. № 1. С. 51-55. [Тип: Статья, Год: 1987]
  45. Григорьев Б.И. Исследование импульсных характеристик тиристоров на основе арсенида галлия. 1987. С. 67-69. [Тип: Статья, Год: 1987]
  46. Григорьев Б.И. Методы измерения электрофизических параметров высоковольтных транзисторов. 1987. С. 127-130. [Тип: Статья, Год: 1987]
  47. Григорьев Б.И. Быстродействие при включении биполярного гетеротранзистора с варизинным коллектором. 1987. Т. 57. № 6. С. 101-104. [Тип: Статья, Год: 1987]
  48. Григорьев Б.И. Установление стационарного состояния при включении силового высоковольтного диодно-транзисторного ключа в схеме импульсного преобразователя. 1987. Т. 30. № 6. С. 59-64. [Тип: Статья, Год: 1987]
  49. Григорьев Б.И. Процесс включения высоковольтного транзисторв Дарлингтона. 1986. С. 177-182. [Тип: Статья, Год: 1986]
  50. Григорьев Б.И. Постоянные времени высоковольтных транзисторов. 1986. С. 204-207. [Тип: Статья, Год: 1986]
  51. Григорьев Б.И. Переходные процессы В высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры. 1986. Т. 20. № 4. С. 677-682. [Тип: Статья, Год: 1986]
  52. Григорьев Б.И. Теория стационарных режимов насыщения мощных высоковольтных составных транзисторов. 1986. Т. 56. № 3. С. 547-551. [Тип: Статья, Год: 1986]
  53. Григорьев Б.И. Импульсные транзисторы на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. 1986. С. 199-203. [Тип: Статья, Год: 1986]
  54. Григорьев Б.И. Постоянные времени мощных высоковольтных транзисторов. 1986. № 2. С. 42-47. [Тип: Статья, Год: 1986]
  55. Григорьев Б.И. Процесс выключения высоковольтного транзистора с переменной шириной запрещенной зоны в коллекторе. 1986. С. 208-211. [Тип: Статья, Год: 1986]
  56. Григорьев Б.И. Процесс включения высоковольтного транзисторо с переменной шириной запрещенной зоны в колекторе. 1986. С. 212-216. [Тип: Статья, Год: 1986]
  57. Григорьев Б.И. Напряжение насыщения и коэффициент усиления по току высоковольтного транзистора Дарлингтона. 1986. Т. 31. № 8. С. 1645-1650. [Тип: Статья, Год: 1986]
  58. Григорьев Б.И. Статические характеристики насыщения высоковольтных транзисторов Дарлингтона. 1986. С. 183-188. [Тип: Статья, Год: 1986]
  59. Григорьев Б.И. Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных р- и п-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров. 1986. Т. 20. № 10. С. 1897-1900. [Тип: Статья, Год: 1986]
  60. Григорьев Б.И. К анализу переходных процессов В мощных высоковольтных транзисторах при произвольных параметрах импульсов тока базы и коллеектора. 1986. Т. 31. № 7. С. 1430-1440. [Тип: Статья, Год: 1986]
  61. Исследование п-N-p-N-p-P-структур с фотонно-инжекционным механизмом межеду р-п-переходами [Тип: Тезисы, Год: 1986]
  62. Григорьев Б.И. Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры. 1985. Т. 19. № 5. С. 878-884. [Тип: Статья, Год: 1985]
  63. Григорьев Б.И. Анализ процесса включения силового высоковольтного транзисторного ключа в схеме импульсного преобразователя. 1985. Т. 28. № 8. С. 50-53. [Тип: Статья, Год: 1985]
  64. Григорьев Б.И. Полуавтомат для контроля рекомбинационных характеристик диодов,транзисторов и тиристоров. 1985. № 2. С. 43-47. [Тип: Статья, Год: 1985]
  65. Григорьев Б.И. Способы определения Эффективности эмиттеров диодных и тиристорных ст руктур. 1985. № 2. С. 39-43. [Тип: Статья, Год: 1985]
  66. Григорьев Б.И. Исследование эффективности инжекции р-п-переходов на основе слабо легированного GaAs. 1985. Т. 19. № 1. С. 167-169. [Тип: Статья, Год: 1985]
  67. Григорьев Б.И. Анализ переходных процессов в высоковольтных транзисторах. 1984. С. 115-119. [Тип: Статья, Год: 1984]
  68. Григорьев Б.И. Статические характеристики насыщения мощных высоковольтных транзисторов. 1984. № 11. С. 1-3. [Тип: Статья, Год: 1984]
  69. Моделирование нелинейного процесса включения силового высоковольтного диодно-транзисторного ключа [Тип: Тезисы, Год: 1984]
  70. Григорьев Б.И. Статические характеристики насыщения высоковольтных транзисторов. 1984. С. 105-109. [Тип: Статья, Год: 1984]
  71. Григорьев Б.И. Приборы для автоматизированного контроля электрофизических параметров диодных,транзисторных и тиристорных структур. 1984. № 3. С. 72-79. [Тип: Статья, Год: 1984]
  72. Григорьев Б.И. Коэффициент усиления по току высоковольтных транзисторов Дарлингтона. 1984. С. 110-114. [Тип: Статья, Год: 1984]
  73. Автоматизированный измеритель рекомбинационных характеристик силовых полупроводниковых приборов [Тип: Тезисы, Год: 1984]
  74. Григорьев Б.И. Анализ процесса рассасывания при выключении мощного высоковольтного транзистора. 1984. Т. 29. № 2. С. 370-377. [Тип: Статья, Год: 1984]
  75. Способ и прибор для автоматизированного измерения коэффициента усиления по току силовых транзисторов [Тип: Тезисы, Год: 1984]
  76. Григорьев Б.И. Определение электрофизических параметров сильнолегированных областей диодов по величинам коэффициентов инжекции эмиттерных переходов. 1984. Т. 29. № 9. С. 1810-1813. [Тип: Статья, Год: 1984]
  77. Григорьев Б.И. Определение инжекционной способности эмиттеров диодных и тиристорных структур. 1984. Т. 29. № 1. С. 164-169. [Тип: Статья, Год: 1984]
  78. Григорьев Б.И. Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs. 1983. Т. 17. № 11. С. 1953-1956. [Тип: Статья, Год: 1983]
  79. Григорьев Б.И. Прибор для контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слаболегированных областях. 1983. № 2. С. 26-29. [Тип: Статья, Год: 1983]
  80. Григорьев Б.И. Время жизни неосновных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs. Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17. № 11. С. 1953-1956. [Тип: Статья, Год: 1983]
  81. Григорьев Б.И. Установление стационарного состояния при включении мощного высоковольтного транзистора. Радиотехника и электроника. 1983. Т. 28. № 6. С. 1176-1181. [Тип: Статья, Год: 1983]
  82. Григорьев Б.И. Исследование высоковольтных полупроводниковых приборов с диффузионными р-п-переходами при высоких плотностях тока. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1982. № 6. С. 35-40. [Тип: Статья, Год: 1982]
  83. Григорьев Б.И. Анализ переходных процессов в диодных и тиристорных структурах при больших плотностях токов. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1982. № 2. С. 59-65. [Тип: Статья, Год: 1982]
  84. Григорьев Б.И. Оптоэлектронный способ измерения времени жизни дырок в базовой области р-п-р-структуры. Радиотехника и электроника. 1982. Т. 27. № 4. С. 799-803. [Тип: Статья, Год: 1982]
  85. Григорьев Б.И. Прибор для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях трехслойных структур. Приборы и техника эксперимента. 1982. № 3. С. 201-203. [Тип: Статья, Год: 1982]
  86. Григорьев Б.И. Прибор для контроля параметров рекомбинации высокоомных облстей диодных, транзисторных и тиристорных структур. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1982. № 5. С. 11-14. [Тип: Статья, Год: 1982]
  87. Григорьев Б.И. Генераторы прямоугольных импульсов напряжения с индуктивными накопителями энергии. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1982. № 6. С. 63-66. [Тип: Статья, Год: 1982]
  88. Григорьев Б.И. Исследование эффективности эмиттеров диодных и тиристорных структур при больших плотностях токов. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1981. № 4. С. 38-42. [Тип: Статья, Год: 1981]
  89. Григорьев Б.И. Разностный метод измерения времени жизни неосновных носителей заряда в силовых транзисторах. Приборы и техника эксперимента. 1981. № 4. С. 226-228. [Тип: Статья, Год: 1981]
  90. Исследование поведения диффузионных р-п-п-диодов при высоких плотностях тока [Тип: Тезисы, Год: 1981]
  91. Григорьев Б.И. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в высокоомных слоях транзисторных структур. Радиотехника и электроника. 1981. Т. 26. № 7. С. 1514-1521. [Тип: Статья, Год: 1981]
  92. Особенности работы в ключевом режиме силовых транзисторов свысокоомным слоем в области коллектора [Тип: Тезисы, Год: 1981]
  93. Григорьев Б.И. Высоковольтный транзистор с переменной шириной запрещенной зоны в коллекторе. Письма в Журнал технической физики. 1981. Т. 7. № 19. С. 1205-1209. [Тип: Статья, Год: 1981]
  94. Григорьев Б.И. Измерение времери жизни неосновных носителей заряда в высокоомной коллекторной области мощных транзисторов. 1980. Т. 25. № 5. С. 1115-1116. [Тип: Статья, Год: 1980]
  95. Григорьев Б.И. Потери мощности в двухсторонних ключах схемы выходного каскада генератора строчной развертки телевизора. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1980. № 5. С. 22-26. [Тип: Статья, Год: 1980]
  96. Григорьев Б.И. Иэмерение времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях диодных и тиристорных структур при больших плотностях токов. Радиотехника и электроника. 1980. Т. 25. № 5. С. 1063-1071. [Тип: Статья, Год: 1980]
  97. Григорьев Б.И. Прибор для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях диодных и тиристорных структур при больших плотностях токов. Электротехническая промышленность-Преобразовательная техника. 1980. № 5. С. 16-18. [Тип: Статья, Год: 1980]
  98. Григорьев Б.И. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в базовой области диода при высоком уровне инжекции. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1980. № 5. С. 26-30. [Тип: Статья, Год: 1980]
  99. Григорьев Б.И. Прибор для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в п-базах диодов и тиристоров. 1979. № 3. С. 125-128. [Тип: Статья, Год: 1979]
  100. Григорьев Б.И. Генератор прямоугольных импульсов напряжекния. Известия вузов-Приборостроение. 1979. Т. 22. № 9. С. 78-81. [Тип: Статья, Год: 1979]
  101. Григорьев Б.И. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях р-п-р-п-структуры. 1978. № 4. С. 89-100. [Тип: Статья, Год: 1978]
  102. Григорьев Б.И. Полуавтомат для контроля времени жизни дырок в п-базах диодов и тиристоров. 1978. № 4. С. 119. [Тип: Статья, Год: 1978]
  103. Григорьев Б.И. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в базе трехслойной структуры. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1978. № 7. С. 96-100. [Тип: Статья, Год: 1978]
  104. Григорьев Б.И. Определенин времени ьжизни неосновных носителей заряда в широкой базе тиристора при высоком уровне инжекции. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1977. № 8. С. 15-23. [Тип: Статья, Год: 1977]
  105. Григорьев Б.И. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в узкой базе тиристора. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1976. № 2. С. 68-74. [Тип: Статья, Год: 1976]
  106. Григорьев Б.И. Исследование мощности, выделяющейся в тиристоре при включении на активную нагрузку. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1975. № 3. С. 116. [Тип: Статья, Год: 1975]
  107. Григорьев Б.И. Исследование потерь мощности, выделяющейся в р-п-р-п-структуре при ее включении. Электронная техника-Электровакуумные и газаразрядные приборы. 1975. № 3. С. 106. [Тип: Статья, Год: 1975]
  108. Григорьев Б.И. Генератор прямоугольных импульсов тока для измерения времени жизни дырок в п-базах диодов и тиристоров. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1974. № 8. С. 129-135. [Тип: Статья, Год: 1974]
  109. Григорьев Б.И. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в широкой базе тиристора. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1974. № 2. С. 75-80. [Тип: Статья, Год: 1974]
  110. Григорьев Б.И. КУ-108 - высоковольтный импульсный тиристор с малым временем включения. Электротехническая промышленность. 1974. № 7. С. 32. [Тип: Статья, Год: 1974]
  111. Григорьев Б.И. Исследование времени задержки включения тиристоров. Электронная техника-Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1972. № 4. С. 15. [Тип: Статья, Год: 1972]