Лебедев Александр Александрович

Статья

Shmidt N.M., Usikov A.S., Shabunina E.I., Nashchekin A.V., Gushchina E.V., Eliseev I.A., Petrov V.N., Puzyk M.V., Avdeev O., Klotchenko S.A., Lebedev S.P., Tanklevskaya E.M., Makarov Y.N., Lebedev A.A., Vasin A.N. Investigation of the morphology and electrical properties of graphene used in the development of biosensors for detection of influenza viruses. Biosensors. 2022. Vol. 12. No. 1. pp. 8.

Статья

Lebedev A.A., Davydov S.Y., Eliseyev I., Roenkov A.D., Avdeev O., Lebedev S.P., Makarov Y., Puzyk M.V., Klotchenko S.A., Usikov A.S. Graphene on sic substrate as biosensor: Theoretical background, preparation, and characterization. Materials. 2021. Vol. 14. No. 3. pp. 590.

Статья

Dobrovolskas D., Kadys A., Usikov A.S., Malinauskas T., Badokas K., Ignatjev I., Lebedev S., Lebedev A., Makarov Y., Tamulaitis G. Luminescence of structured InN deposited on graphene interlayer. Journal of Luminescence. 2021. Vol. 232. pp. 117878.

Статья

Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Levinshtein M.E., Ivanov A.E., Davydovskaya K., Yuferev V.S., Zubov A.V. Impact of high temperature electron irradiation on characteristics of power SiC Schottky diodes. Radiation Physics and Chemistry. 2021. Vol. 185. pp. 109514.

Статья

Kozlovski V.V., Korol’Kov O., Davidovskaya K.S., Lebedev A.A., Levinshtein M.E., Slepchuk N., Strel’Chuk A.M., Toompuu J. Influence of the Proton Irradiation Temperature on the Characteristics of High-Power High-Voltage Silicon Carbide Schottky Diodes. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 3. pp. 287-289.

Статья

Panyutin E.A., Sharofidinov S.S., Orlova T.A., Snytkina S.A., Lebedev A.A. Biplanar Epitaxial AlN/SiC/(n, p)SiC Structures for High-Temperature Functional Electronic Devices. Technical Physics. 2020. Vol. 65. No. 3. pp. 428-433.

Статья

Lebedev S.P., Amel’Chuk D.G., Eliseev I.A., Barash I.S., Dementev P.A., Zubov A.V., Lebedev A.A. Surface morphology control of the SiC (0001) substrate during the graphene growth. Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. 2020. Vol. 28. No. 4. pp. 281-285.

Статья

Grebenyuk G.S., Eliseev I.A., Lebedev S.P., Lobanova E.Y., Smirnov D.A., Davydov V.Y., Lebedev A.A., Pronin I.I. Formation of Iron Silicides Under Graphene Grown on the Silicon Carbide Surface. Physics of the Solid State. 2020. Vol. 62. No. 10. pp. 1944–1948.

Статья

Лебедев А.А., Кириллов А.В., Романов Л.П., Зубов А.В., Стрельчук А.М. Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов. Журнал технической физики. 2020. Т. 90. № 2. С. 264-267.

Статья

Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Davydov V.Y., Eliseyev I., Kumzerov Y.A. Detection of lysine molecular ions in solution gated field effect transistors based on unmodified graphene. Journal of Applied Physics. 2020. Vol. 125. No. 21. pp. 028108.

Статья

Eliseev I.A., Usikov A.S., Lebedev S.P., Roenkov A.D., Puzyk M.V., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A., Shabunina E.I., Dementev P.A., Smirnov A.N., Shmidt N.M. Raman scattering and low-frequency noise in epitaxial graphene chips. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012130.

Статья

Eliseev I.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Belov S.V., Zubov A.V., Lebedev S.P., Lebedev A.A. Raman Studies of Graphene Films Grown on 4H-SiC Subjected to Deposition of Ni. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 12. pp. 1674-1677.

Статья

Shakhov L.V., Lebedev A.A., Seredova N.V., Lebedev S.P., Kozlovski V.V., Zubov A.V., Nikitina I.P. Investigation of the influence of structural defects on the pl spectra in n-3C-SiC. Materials Science Forum. 2020. Vol. 1004 MSF. pp. 278-283.

Статья

Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Fursin L., Strel’Chuk A.M., Levinshtein M.E., Ivanov P.A., Zubov A.V. Impact of proton irradiation on power 4h-sic mosfets. Materials Science Forum. 2020. Vol. 1004 MSF. pp. 1074-1080.

Статья

Lebedev A.A., Kirillov A.V., Romanov L.P., Zubov A.V., Strel’Chuk A.M. Development of the Processing Technique and Study of Microwave Switches Based on 4H-SiC p–i–n Diodes. Technical Physics. 2020. Vol. 65. No. 2. pp. 250-253.

Статья

Lebedev A.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Eliseev I.A., Davydovskaya K., Zavarin E.E., Zakgeim D.A., Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Zubov A.V., Kozlovski V.V. Proton irradiation effects on GaN-based epitaxial structures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012073.

Статья

Hahnlein B., Lebedev S.P., Eliseyev I., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Zubov A.V., Lebedev A.A., Pezoldt J. Investigation of epitaxial graphene via Raman spectroscopy: Origins of phonon mode asymmetries and line width deviations. Carbon. 2020. Vol. 170. pp. 666-676.

Статья

Alekseev P.A., Borodin B.R., Mustafin I.A., Zubov A.V., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Trukhin V.N. Terahertz Near-Field Response in Graphene Ribbons. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 8. pp. 756-759.

Статья

Usikov A.S., Lebedev S.P., Roenkov A.D., Barash I.S., Novikov S.V., Puzyk M.V., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A. Studying the Sensitivity of Graphene for Biosensor Applications. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 5. pp. 462-465.

Статья

Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Levinshtein M.E., Ivanov A.E., Strel’Chuk A.M., Zubov A.V., Fursin L. Impact of 0.9 MeV electron irradiation on main properties of high voltage vertical power 4H-SiC MOSFETs. Radiation Physics and Chemistry. 2020. Vol. 177. pp. 109200.

Статья

Усиков А.С., Лебедев С.П., Роенков А.Д., Бараш И.С., Новиков С.В., Пузык М.В., Зубов А.В., Макаров Ю.Н., Лебедев А.А. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 10. С. 3-6.

Статья

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Булат П.В., Зубов А.В. Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 15. С. 7-9.

Статья

Davydov S.Y., Lebedev A.A., Zubov A.V., Bulat P.V. Model Estimates of the Quantum Capacitance of Graphene-Like Nanostructures. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 12. pp. 1174-1176.

Статья

Eliseyev I., Babichev A.V., Lebedev S.P., Dementev P.A., Zubov A.V., Lebedev A.A., Davydov V.Y. Raman and AFM studies of epitaxial graphene intended for manufacturing of transistors. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012018.

Статья

Grebenyuk G.S., Eliseev I.A., Lebedev S.P., Lobanova E.Y., Smirnov D.A., Davydov V.Y., Lebedev A.A., Pronin I.I. Intercalation Synthesis of Cobalt Silicides under Graphene Grown on Silicon Carbide. Physics of the Solid State. 2020. Vol. 62. No. 3. pp. 519-528.

Статья

Lebedev S.P., Eliseyev I.A., Panteleev V.N., Dementev P.A., Shnitov V.V., Rabchinskii M.K., Smirnov D.A., Zubov A.V., Lebedev A.A. Comparative Study of Conventional and Quasi-Freestanding Epitaxial Graphenes Grown on 4H-SiC Substrate. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 12. pp. 1657-1660.

Статья

Davydov S.Y., Lebedev A.A., Bulat P.V., Zubov A.V. Model Estimates of the Quantum Capacitance of Graphene Nanostructures. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 8. pp. 733-736.

Статья

Shakhov L.V., Davydov V.Y., Lebedev A.A., Seredova N.V., Nikitina I.P., Zubov A.V. 3C-SiC growth by sublimation in vacuum technology optimization. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012070.

Статья

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Зубов А.В., Булат П.В. Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 23. С. 19-21.

Статья

Лебедев С.П., Бараш И.С., Елисеев И.А., Дементьев П.А., Лебедев А.А., Булат П.В. Исследование влияния водородного травления поверхности sic на последующий процесс формирования пленок графена. Журнал технической физики. 2019. Т. 89. № 12. С. 1940-1946.

Статья

Davydov S.Y., Zubov A.V., Lebedev A.A. A Model of a Surface Dimer in the Problem of Adsorption. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 5. pp. 461-463.

Статья

Davydov S.Y., Zubov A.V., Lebedev A.A. Coulomb Electron Interaction between an Adsorbate and Substrate: a Model of a Surface Dimer. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 9. pp. 924-926.

Статья

Давыдов С.Ю., Зубов А.В., Лебедев А.А. Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 9. С. 40-42.

Статья

Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Ivanov P.A., Levinshtein M.E., Zubov A.V. Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 10. pp. 1409-1413.

Статья

Borodin B.R., Benimetskiy F.A., Dunaevskiy M., Sharov V.A., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Lahderanta E., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Alekseev P.A. MoSe2/graphene/6H-SiC heterojunctions: energy band diagram and photodegradation. Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 12. pp. 105794.R1.

Статья

Usikov A.S., Puzyk M.V., Novikov S., Barash I.S., Medvedev O., Roenkov A.D., Goryachkin A., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A. Electrochemical Treatment of Graphene. Key Engineering Materials. 2019. Vol. 799. pp. 197-202.

Статья

Usikov A.S., Borodkin K.V., Novikov S., Roenkov A.D., Goriachkin A.A., Puzyk M.V., Barash I.S., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y., Lebedev A.A. Graphene/SiC dies for electrochemical blood-type sensing. Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. 2019. Vol. 68. No. 2. pp. 207-213.

Статья

Eliseyev I.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Nestoklon M.O., Dementev P.A., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Zubov A.V., Mathew S., Pezoldt J., Bokai K., Usachov D.Y. Optical estimation of the carrier concentration and the value of strain in monolayer graphene grown on 4H-SiC. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 14. pp. 1904-1909.

Статья

Kotousova I.S., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Bulat P.V. Electron diffraction study of epitaxial graphene structure grown upon SiC (0001) thermal destruction in Ar atmosphere and in high vacuum. Physics of the Solid State. 2019. Vol. 61. No. 10. pp. 1940-1946.

Статья

Lebedev S.P., Barash I.S., Eliseyev I.A., Dementev P.A., Lebedev A.A., Bulat P.V. Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films. Technical Physics. 2019. Vol. 64. No. 12. pp. 1843-1849.

Статья

Lebedev A.A., Kirillov A.V., Romanov L.P., Zubov A.V., Strelchuk A.M. 4H-SiC P-i-N diodes: development of technology and research of microwave switches based on it. International Journal of Science and Research. 2019. Vol. 8. No. 10. pp. 981-986.

Статья

Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Levinshtein M.E., Ivanov P.A., Strel’Chuk A.M., Zubov A.V., Fursin L. Effect of high energy (15 MeV) proton irradiation on vertical power 4H-SiC MOSFETs. Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 4. pp. 045004.

Статья

Sleptsuk N., Lebedev A.A., Eliseyev I., Korolkov O., Toompuu J., Land R., Mikli V., Zubov A.V., Rang T. Comparative investigation of the graphene-on-silicon carbide and CVD graphene as a basis for biosensor application. Key Engineering Materials. 2019. Vol. 799. pp. 185-190.

Статья

Kotousova I.S., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Bulat P.V. Electron-Diffraction Study of the Structure of Epitaxial Graphene Grown by the Method of Thermal Destruction of 6H- and 4H-SiC (0001) in Vacuum. Physics of the Solid State. 2018. Vol. 60. No. 7. pp. 1419-1424.

Статья

Резник Р.Р., Котляр К.П., Илькив И.В., Сошников И.П., Лебедев С.П., Лебедев А.А., Кириленко Д.А., Алексеев П.А., Цырлин Г.Э. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства gap- и inp-нитевидных нанокристаллов на sic-подложке с пленкой графена. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 11. С. 1317-1320.

Статья

Агринская Н.В., Лебедев А.А., Лебедев С.П., Шахов М.А., Лахдеранта Э. Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы берри в графене на поверхности sic. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 12. С. 1512-1517.

Статья

Козловский В.В., Лебедев А.А., Давыдовская К.С., Любимова Ю.В. Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости N-SIC радиационными дефектами. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 12. С. 1532-1534.

Статья

Бутко А.В., Бутко В.Ю., Лебедев С.П., Лебедев А.А., Кумзеров Ю.А. Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 12. С. 2474-2477.

Статья

Котоусова И.С., Лебедев С.П., Лебедев А.А., Булат П.В. Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6H- и 4H-SIC (0001) в вакууме. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 7. С. 1403-1408.

Статья

Gomoyunova M.V., Grebenyuk G.S., Davydov V.Y., Ermakov I.A., Eliseyev I.A., Lebedev A.A., Lebedev S.P., Lobanova E.Y., Smirnov A.N., Smirnov D.A., Pronin I.I. Intercalation of Iron Atoms under Graphene Formed on Silicon Carbide. Physics of the Solid State. 2018. Vol. 60. No. 7. pp. 1439-1446.

Статья

Гомоюнова М.В., Гребенюк Г.С., Давыдов В.Ю., Ермаков И.А., Елисеев И.А., Лебедев А.А., Лебедев С.П., Лобанова Е.Ю., Смирнов А.Н., Смирнов Д.А., Пронин И.И. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 7. С. 1423-1430.

Тезисы

Dynamics of changes in the resistance of a graphene film contaminated by an organic matter during thermal cycling in vacuum

Тезисы

Dynamics of changes in the resistance of a graphene film contaminated by an organic matter during thermal cycling in vacuum

Статья

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Любимова Ю.В. Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 23. С. 90-95.

Статья

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Mikhailov A.O., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Ilkiv I.V., Khrebtov A.I., Bouravleuv A.D., Cirlin G.E. Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 12. pp. 1611-1615.

Статья

Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Davydovskaya K.S., Lyubimova Y.V. Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 12. pp. 1635-1637.

Статья

Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Kumzerov Y.A. Field Effect in Monolayer Graphene Associated with the Formation of Graphene-Water Interface. Physics of the Solid State. 2018. Vol. 60. No. 12. pp. 2668-2671.

Статья

Agrinskaya N.V., Lebedev A.A., Lebedev S.P., Shakhov M.A., Lahderanta E. Transition between Electron Localization and Antilocalization and Manifestation of the Berry Phase in Graphene on a SiC Surface. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 12. pp. 1616-1620.

Статья

Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Kumzerov Y.A. Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide. Physics of the Solid State. 2017. Vol. 59. No. 10. pp. 2089-2091.

Статья

Лукьянов Г.Н., Лебедев А.А., Кузьмин В.А., Минина М.В. Исследование температурных зависимостей графеновых пленок при нормальном давлении и в вакууме. Альманах научных работ молодых ученых Университета ИТМО. 2017. Т. 2. С. 159-162.

Статья

Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Emtsev V.V., Oganesyan G.A. Effect of the energy of recoil atoms on conductivity compensation in moderately doped n-Si and n-SiC under irradiation with MeV electrons and protons. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2016. Vol. 384. pp. 100-105.

Статья

Novikov S., Lebedeva N., Satrapinski A., Walden J., Davydov V., Lebedev A.A. Graphene based sensor for environmental monitoring of NO2. Sensors and Actuators B: Chemical. 2016. Vol. 236. pp. 1054-1060.

Статья

Lebedev A.A., Belov S.V., Mynbaeva M.G., Strel’Chuk A.M., Bogdanova E.V., Makarov Y.N., Usikov A.S., Kurin S.Y., Barash I.S., Roenkov A.D., Kozlovski V.V. 15 eV protons irradiation of the GaN Schottky Diodes. Materials Science Forum. 2016. Vol. 858. pp. 1186-1189.

Статья

Novikov S.V., Makarov Y.N., Helava H., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Davydov V.Y. Highly sensitive NO2 graphene sensor made on SiC grown in Ta crucible. Materials Science Forum. 2016. Vol. 858. pp. 1149-1152.

Статья

Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н., Усиков А.С., Курин С.Ю., Бараш И.С., Роенков А.Д., Козловский В.В. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 10. С. 1386-1388.

Статья

Лебедев А.А., Давыдов С.Ю., Сорокин Л.М., Шахов Л.В. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 23. С. 89-94.

Статья

Lebedev A.A., Ber B.Y., Seredova N.V., Kazantsev D.Y., Kozlovski V.V. Radiation-Stimulated Photoluminescence in Electron Irradiated 4H-SiC. Journal of Physics D: Applied Physics. 2015. Vol. 48. No. 48. pp. 485106.

Статья

Strel’Chuk A.M., Yakimov E.B., Lavrent’Ev A.A., Kalinina E.V., Lebedev A.A. Characterization of 4H-SiC pn structures with unstable excess current. Materials Science Forum. 2015. Vol. 821-823. pp. 648-651.

Статья

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А. Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 1. С. 200-205.

Статья

Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н. Исследование возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2014. № 3(91). С. 64-69.